IPN70R750P7SATMA1

IPN70R750P7S MOSFET 700VCoolMOSªP7PowerTransistor PG-SOT223 CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies. ThelatestCoolMOS™P7isanoptimizedplatformtailoredtotargetcost sensitiveapplicationsinconsumermarketssuchascharger,adapter, lighting,TV,etc. The...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO261
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IPN70R750P7S MOSFET 700VCoolMOSªP7PowerTransistor PG-SOT223 CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies. ThelatestCoolMOS™P7isanoptimizedplatformtailoredtotargetcost sensitiveapplicationsinconsumermarketssuchascharger,adapter, lighting,TV,etc. ThenewseriesprovidesallthebenefitsofafastswitchingSuperjunction MOSFET,combinedwithanexcellentprice/performanceratioandstateof theartease-of-uselevel.Thetechnologymeetshighestefficiency standardsandsupportshighpowerdensity,enablingcustomersgoing towardsveryslimdesigns. Drain Pin 2, Tab Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss •Excellentthermalbehavior •IntegratedESDprotectiondiode •Lowswitchinglosses(Eoss) •Productvalidationacc.JEDECStandard Gate Pin 1 Source Pin 3 Benefits •Costcompetitivetechnology •Lowertemperature •HighESDruggedness •Enablesefficiencygainsathigherswitchingfrequencies •Enableshighpowerdensitydesignsandsmallformfactors Potentialapplications RecommendedforFlybacktopologiesforexampleusedinChargers, Adapters,LightingApplications,etc. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseperatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj=25°C 700 V RDS(on),max 0.75 Ω Qg,typ 8.3 nC ID,pulse 15.4 A Eoss @ 400V 0.9 µJ V(GS)th,typ 3 V ESD class (HBM) 1C Type/OrderingCode Package Marking IPN70R750P7S PG-SOT223 70S750 Final Data Sheet 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.1,2018-02-12 PDF
Документация на IPN70R750P7SATMA1 

Datasheet IPN70R750P7S Datasheet IPN70R750P7S Rev. 2.1

Дата модификации: 13.02.2018

Размер: 1 Мб

13 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    22 июня 2018
    статья

    МОП-транзистор в корпусе SOT-223 – оптимальный выбор для источников питания малой мощности

    Поместив МОП–транзисторы серии CoolMOS™ P7 в корпус SOT–223, компания Infineon добилась более высокого КПД и снижения общей стоимости готового изделия при одновременном уменьшении габаритов и взаимозаменяемости... ...читать

    25 декабря 2017
    статья

    CoolMOS P7: баланс эффективности и простоты использования в силовых преобразователях

    Сочетание высокой скорости коммутации и простоты использования делает серию МОП–транзисторов CoolMOS™ P7 производства Infineon идеальной для применения как в маломощных (бытовые приборы, ПК), так и в мощных (телекоммуникации, центры... ...читать

    24 августа 2017
    новость

    CoolMOS™ P7 - новые 600V и 700V силовые MOSFET

    Линейка CoolMOS™ P7 Infineon является отлично сбалансированным решением, обладающим оптимальным соотношением эффективности и цены. Ключевая особенность транзисторов линейки — возможность их применения в схемах с различными топологиями. MOSFET... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.