IPN95R1K2P7ATMA1

Infineon
IPN95R1K2P7 MOSFET 950VCoolMOSªP7SJPowerDevice PG-SOT223 Thelatest950VCoolMOS™P7seriessetsanewbenchmarkin950V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation. Features •Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss •Be...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PG-SOT223-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IPN95R1K2P7 MOSFET 950VCoolMOSªP7SJPowerDevice PG-SOT223 Thelatest950VCoolMOS™P7seriessetsanewbenchmarkin950V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation. Features •Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss •Best-in-classSOT-223RDS(on) •Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V •IntegratedZenerDiodeESDprotection •Best-in-classCoolMOS™qualityandreliability •Fullyoptimizedportfolio Drain Pin 2 Benefits *1 Gate Pin 1 •Best-in-classperformance •Enablinghigherpowerdensitydesigns,BOMsavingsandlower assemblycosts •Easytodriveandtoparallel •BetterproductionyieldbyreducingESDrelatedfailures •Lessproductionissuesandreducedfieldreturns •Easytoselectrightpartsforfinetuningofdesigns *2 *1: Internal body diode *2: Integrated ESD diode Source Pin 3 Potentialapplications RecommendedforflybacktopologiesforLEDLighting,lowpower ChargersandAdapters,SmartMeter,AUXpowerandIndustrialpower. AlsosuitableforPFCstageinConsumerandSolarapplications. ProductValidation:Fullyqualifiedacc.JEDECforIndustrialApplications Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseperatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj=25°C 950 V RDS(on),max 1.2 Ω Qg,typ 15 nC ID 6 A Eoss @ 500V 1.3 µJ VGS(th),typ 3 V ESD class (HBM) 2 - Type/OrderingCode Package Marking IPN95R1K2P7 PG-SOT223 95R1K2 Final Data Sheet 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2018-06-01 PDF
Документация на IPN95R1K2P7ATMA1 

Datasheet IPN95R1K2P7 Datasheet IPN95R1K2P7 Rev. 2.0

Дата модификации: 07.06.2019

Размер: 1.15 Мб

14 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    27 февраля
    статья

    Бесснабберный обратноходовой преобразователь на новых MOSFET 950 В от Infineon

    Новое семейство транзисторов CoolMOS P7 950 В производства компании Infineon разработано специально для создания обратноходовых преобразователей, работающих в режиме квазирезонанса или непрерывных токов. По сравнению с предшественниками новые... ...читать

    22 июня 2018
    статья

    МОП-транзистор в корпусе SOT-223 – оптимальный выбор для источников питания малой мощности

    Поместив МОП–транзисторы серии CoolMOS™ P7 в корпус SOT–223, компания Infineon добилась более высокого КПД и снижения общей стоимости готового изделия при одновременном уменьшении габаритов и взаимозаменяемости... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16409Q3 (TI)