IPP60R170CFD7XKSA1

IPP60R170CFD7 MOSFET 600VCoolMOSªCFD7PowerTransistor PG-TO220 tab CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.ThelatestCoolMOS™CFD7isthe successortotheCoolMOS™CFD2seriesandisanoptimizedplatform tailoredtotargetsoftswitchingapplicationssuchasph...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IPP60R170CFD7 MOSFET 600VCoolMOSªCFD7PowerTransistor PG-TO220 tab CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.ThelatestCoolMOS™CFD7isthe successortotheCoolMOS™CFD2seriesandisanoptimizedplatform tailoredtotargetsoftswitchingapplicationssuchasphase-shiftfull-bridge (ZVS)andLLC.Resultingfromreducedgatecharge(Qg),best-in-class reverserecoverycharge(Qrr)andimprovedturnoffbehaviorCoolMOS™ CFD7offershighestefficiencyinresonanttopologies.AspartofInfineon’s fastbodydiodeportfolio,thisnewproductseriesblendsalladvantagesof afastswitchingtechnologytogetherwithsuperiorhardcommutation robustness,withoutsacrificingeasyimplementationinthedesign-in process.TheCoolMOS™CFD7technologymeetshighestefficiencyand reliabilitystandardsandfurthermoresupportshighpowerdensity solutions.Altogether,CoolMOS™CFD7makesresonantswitching topologiesmoreefficient,morereliable,lighterandcooler. Drain Pin 2, Tab Gate Pin 1 Features Source Pin 3 •Ultra-fastbodydiode •Lowgatecharge •Best-in-classreverserecoverycharge(Qrr) •ImprovedMOSFETreversediodedv/dtanddiF/dtruggedness •LowestFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss •Best-in-classRDS(on)inSMDandTHDpackages Benefits •Excellenthardcommutationruggedness •Highestreliabilityforresonanttopologies •Highestefficiencywithoutstandingease-of-use/performancetradeoff •Enablingincreasedpowerdensitysolutions Potentialapplications SuiteableforSoftSwitchingtopologies Optimizedforphase-shiftfull-bridge(ZVS),LLCApplications–Server, Telecom,EVCharging ProductValidation:Qualifiedforindustrialapplicationsaccordingtothe relevanttestsofJEDEC47/20/22 Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 650 V RDS(on),max 170 mΩ Qg,typ 28 nC ID,pulse 51 A Eoss @ 400V 3.2 µJ Body diode diF/dt 1300 A/µs Type/OrderingCode Package IPP60R170CFD7 PG-TO 220-3 Final Data Sheet Marking 60R170F7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.1,2018-01-18 PDF
Документация на IPP60R170CFD7XKSA1 

Datasheet IPP60R170CFD7 Datasheet IPP60R170CFD7 Rev. 2.1

Дата модификации: 18.01.2018

Размер: 1.67 Мб

14 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    04 сентября
    статья

    Транзисторы CoolMOS™ с диодами CFD7 для резонансных преобразователей с высоким КПД

    Александр Русу (г. Одесса) Транзисторы CoolMOS™ производства Infineon с диодами CFD7 со сверхмалой величиной заряда обратного восстановления идеальны для выпрямительных устройств вычислительной и телекоммуникационной техники. Специфическая... ...читать

    23 июля 2018
    новость

    600V CoolMOS CFD7 MOSFET - идеальное решение для мощных резонансных преобразователей

    Резонансные источники питания (ИП) занимают все большую долю рынка. Именно для таких применений предназначена новая серия 600 В MOSFET CoolMOS™ CFD7 от Infineon. Транзисторы представлены как в выводных (TO–220, TO–220 FP,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.