IPP60R180P7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- STP18N55M5 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 550V 13A TO220AB Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 550V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Файлы 1

показать свернуть
IPP60R180P7 MOSFET 600VCoolMOSªP7PowerTransistor PG-TO220 tab TheCoolMOS™7thgenerationplatformisarevolutionarytechnologyfor highvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction (SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.The600V CoolMOS™P7seriesisthesuccessortotheCoolMOS™P6series.It combinesthebenefitsofafastswitchingSJMOSFETwithexcellentease ofuse,e.g.verylowringingtendency,outstandingrobustnessofbody diodeagainsthardcommutationandexcellentESDcapability. Furthermore,extremelylowswitchingandconductionlossesmake switchingapplicationsevenmoreefficient,morecompactandmuch cooler. Features •Suitableforhardandsoftswitching(PFCandLLC)duetoanoutstanding commutationruggedness •Significantreductionofswitchingandconductionlosses •ExcellentESDrobustness>2kV(HBM)forallproducts •BetterRDS(on)/packageproductscomparedtocompetitionenabledbya lowRDS(on)*A(below1Ohm*mm²) •LargeportfoliowithgranularRDS(on)selectionqualifiedforavarietyof industrialandconsumergradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20 andJESD22) Drain Pin 2, Tab Gate Pin 1 Source Pin 3 Benefits •Easeofuseandfastdesign-inthroughlowringingtendencyandusage acrossPFCandPWMstages •Simplifiedthermalmanagementduetolowswitchingandconduction losses •Increasedpowerdensitysolutionsenabledbyusingproductswith smallerfootprintandhighermanufacturingqualitydueto>2kVESD protection •Suitableforawidevarietyofapplicationsandpowerranges Applications PFC,hardswitchingPWMandresonantswitchingpowerstages.e.g.PC Silverbox,Adapter,LCD&PDPTV,Lighting,Server,Telecom&UPS Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 650 V RDS(on),max 180 mΩ Qg.typ 25 nC ID,pulse 53 A Eoss@400V 2.6 µJ Body diode di/dt 900 A/µs Type/OrderingCode Package IPP60R180P7 PG-TO 220-3 Final Data Sheet Marking 60R180P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.1,2017-02-17 PDF
Документация на IPP60R180P7XKSA1 

Datasheet IPP60R180P7 Datasheet IPP60R180P7 Rev. 2.1

Дата модификации: 17.02.2017

Размер: 1.7 Мб

14 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    26 ноября 2020
    статья

    Бюджетный двухкаскадный светодиодный драйвер 52 Вт на основе микросхемы ICL5102

    В статье представлена схема ICL5102 производства Infineon с коррекцией коэффициента мощности (ККМ) и LCC–преобразователем без обратной связи, обеспечивающая малый разброс светодиодного тока. Микросхема ICL5102 производства Infineon... ...читать

    17 мая 2019
    новость

    Тонкости применения транзисторов CoolMOS серии P7 (материалы вебинара)

    Программа показатьсвернуть Компания Компэл приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном особенностям и тонкостям применения транзисторов компании INFINEON из серии CoolMOS, имеющих малые размеры кристаллов. Речь пойдёт о тепловом... ...читать

    25 декабря 2017
    статья

    CoolMOS P7: баланс эффективности и простоты использования в силовых преобразователях

    Сочетание высокой скорости коммутации и простоты использования делает серию МОП–транзисторов CoolMOS™ P7 производства Infineon идеальной для применения как в маломощных (бытовые приборы, ПК), так и в мощных (телекоммуникации, центры... ...читать

    01 сентября 2017
    статья

    600 В CoolMOS™ P7 от Infineon: тестируем эффективность в реальных схемах

    Продолжая тему новой линейки MOSFET производства Infineon CoolMOS™ P7, статья рассказывает о практических преимуществах применения этих изделий в 500–ваттном импульсном источнике с ККМ, 600–ваттном полумостовом резонансном... ...читать

    24 августа 2017
    новость

    CoolMOS™ P7 - новые 600V и 700V силовые MOSFET

    Линейка CoolMOS™ P7 Infineon является отлично сбалансированным решением, обладающим оптимальным соотношением эффективности и цены. Ключевая особенность транзисторов линейки — возможность их применения в схемах с различными топологиями. MOSFET... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.