IPP60R360P7

IPP60R360P7 MOSFET 600VCoolMOSªP7PowerTransistor PG-TO220 tab TheCoolMOS™7thgenerationplatformisarevolutionarytechnologyfor highvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction (SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.The600V CoolMOS™P7seriesisthesuccessortotheCoolMOS™P6series.It combinesthebenefitsofafastswitchingSJMOSFETwith...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус:

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
PA IPP60R360P7XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3

Файлы 1

показать свернуть
IPP60R360P7 MOSFET 600VCoolMOSªP7PowerTransistor PG-TO220 tab TheCoolMOS™7thgenerationplatformisarevolutionarytechnologyfor highvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction (SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.The600V CoolMOS™P7seriesisthesuccessortotheCoolMOS™P6series.It combinesthebenefitsofafastswitchingSJMOSFETwithexcellentease ofuse,e.g.verylowringingtendency,outstandingrobustnessofbody diodeagainsthardcommutationandexcellentESDcapability. Furthermore,extremelylowswitchingandconductionlossesmake switchingapplicationsevenmoreefficient,morecompactandmuch cooler. Features •Suitableforhardandsoftswitching(PFCandLLC)duetoanoutstanding  commutationruggedness •Significantreductionofswitchingandconductionlosses •ExcellentESDrobustness>2kV(HBM)forallproducts •BetterRDS(on)/packageproductscomparedtocompetitionenabledbya  lowRDS(on)*A(below1Ohm*mm²) •Fullyqualifiedacc.JEDECforIndustrialApplications Drain Pin 2, Tab Gate Pin 1 Source Pin 3 Benefits •Easeofuseandfastdesign-inthroughlowringingtendencyandusage  acrossPFCandPWMstages •Simplifiedthermalmanagementduetolowswitchingandconduction  losses •Increasedpowerdensitysolutionsenabledbyusingproductswith  smallerfootprintandhighermanufacturingqualitydueto>2kVESD  protection •Suitableforawidevarietyofapplicationsandpowerranges Potentialapplications PFCstages,hardswitchingPWMstagesandresonantswitchingstages fore.g.PCSilverbox,Adapter,LCD&PDPTV,Lighting,Server,Telecom andUPS. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 650 V RDS(on),max 360 mΩ Qg,typ 13 nC ID,pulse 26 A Eoss @ 400V 1.6 µJ Body diode diF/dt 900 A/µs Type/OrderingCode Package IPP60R360P7 PG-TO 220-3 Final Data Sheet Marking 60R360P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.3,2018-06-07 PDF
Документация на IPP60R360P7 

Datasheet IPP60R360P7 Datasheet IPP60R360P7 Rev. 2.3

Дата модификации: 07.06.2018

Размер: 1.65 Мб

14 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    17 мая 2019
    новость

    Тонкости применения транзисторов CoolMOS серии P7 (материалы вебинара)

    Программа показатьсвернуть Компания Компэл приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном особенностям и тонкостям применения транзисторов компании INFINEON из серии CoolMOS, имеющих малые размеры кристаллов. Речь пойдёт о тепловом... ...читать

    24 августа 2017
    новость

    CoolMOS™ P7 - новые 600V и 700V силовые MOSFET

    Линейка CoolMOS™ P7 Infineon является отлично сбалансированным решением, обладающим оптимальным соотношением эффективности и цены. Ключевая особенность транзисторов линейки — возможность их применения в схемах с различными топологиями. MOSFET... ...читать

    19 июля 2017
    статья

    600V CoolMOS™ P7 компании Infineon: особенности и преимущества новейших MOSFET

    МОП–транзисторы 600V CoolMOS™ P7 от Infineon – это SMD–корпус, высокий КПД, малое значение RDS(on), быстрое переключение, бюджетная цена и простота использования. Все перечисленное делает их незаменимыми на рынке потребительской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.