IPP80R450P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 11A TO220
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= SPP11N80C3XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB
P= STP11NM80 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STF11NM80 (ST) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
A+ STF15N80K5 (ST) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 800V, 0.375ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STB21N90K5 (ST) TO263 в ленте 1000 шт MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 900V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
A+ STB20N95K5 (ST) TO263 1000 шт MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 950V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
A+ STB18NM80 (ST) TO263 1000 шт MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
A+ STB15N80K5 (ST) TO263 1000 шт MOSFET N CH 800V 14A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 800V, 0.375ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
A+ STB13N80K5 (ST) TO263 1000 шт
 
A+ STP25N80K5 (ST) TO220AB 50 шт MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220 Power Field-Effect Transistor, 19.5A I(D), 800V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STW21N90K5 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 900V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STW20N95K5 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 950V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AA
A+ STP18NM80 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STW15N80K5 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N CH 800V 14A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 800V, 0.375ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STP20N95K5 (ST) TO220AB 50 шт MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 950V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STW18NM80 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STW11NM80 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STP15N80K5 (ST) TO220AB 50 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 800V, 0.375ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STP13N80K5 (ST) TO220AB 50 шт MOSFET N-CH 800V 12A TO220
A+ IPP90R340C3XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 900V 15A TO-220
A+ SPA11N80C3XKSA1 (INFIN) TO220FP в линейках 50 шт
 
A+ IPA80R360P7XKSA1 (INFIN) TO220FP в линейках 50 шт
A+ STP21N90K5 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 900V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STW13N80K5 (ST) TO-247-3 30 шт
 
A+ STF18NM80 (ST) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Файлы 1

показать свернуть
IPP80R450P7 MOSFET 800VCoolMOSªP7PowerTransistor PG-TO220 tab Thelatest800VCoolMOS™P7seriessetsanewbenchmarkin800V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation. Features •Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss •Best-in-classDPAKRDS(on) •Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V •IntegratedZenerDiodeESDprotection •Best-in-classCoolMOS™qualityandreliability;qualifiedforindustrial gradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20andJESD22) •Fullyoptimizedportfolio Benefits Drain Pin 2, Tab Gate Pin 1 •Best-in-classperformance •Enablinghigherpowerdensitydesigns,BOMsavingsandlower assemblycosts •Easytodriveandtoparallel •BetterproductionyieldbyreducingESDrelatedfailures •Lessproductionissuesandreducedfieldreturns •Easytoselectrightpartsforfinetuningofdesigns Source Pin 3 Applications RecommendedforhardandsoftswitchingflybacktopologiesforLED Lighting,lowpowerChargersandAdapters,Audio,AUXpowerand Industrialpower.AlsosuitableforPFCstageinConsumerapplications andSolar. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseperatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj=25°C 800 V RDS(on),max 0.45 Ω Qg,typ 24 nC ID 11 A Eoss @ 500V 2.7 µJ VGS(th),typ 3 V ESD class (HBM) 2 - Type/OrderingCode Package IPP80R450P7 PG-TO 220 Final Data Sheet Marking 80R450P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2016-07-05 PDF
Документация на IPP80R450P7XKSA1 

Datasheet IPP80R450P7 Datasheet IPP80R450P7 Rev. 2.0

Дата модификации: 05.07.2016

Размер: 968.1 Кб

13 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.