IPSA70R750P7SAKMA1

IPSA70R750P7S MOSFET 700VCoolMOSªP7PowerTransistor IPAK-shortleadwithISO-Standoff CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies. ThelatestCoolMOS™P7isanoptimizedplatformtailoredtotargetcost sensitiveapplicationsinconsumermarketssuchascharger,adapter...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: TO251
  • Норма упаковки: 75  шт.

Файлы 1

показать свернуть
IPSA70R750P7S MOSFET 700VCoolMOSªP7PowerTransistor IPAK-shortleadwithISO-Standoff CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies. ThelatestCoolMOS™P7isanoptimizedplatformtailoredtotargetcost sensitiveapplicationsinconsumermarketssuchascharger,adapter, lighting,TV,etc. ThenewseriesprovidesallthebenefitsofafastswitchingSuperjunction MOSFET,combinedwithanexcellentprice/performanceratioandstateof theartease-of-uselevel.Thetechnologymeetshighestefficiency standardsandsupportshighpowerdensity,enablingcustomersgoing towardsveryslimdesigns. Drain Pin 2, Tab Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss •Excellentthermalbehavior •IntegratedESDprotectiondiode •Lowswitchinglosses(Eoss) •Productvalidationacc.JEDECStandard Gate Pin 1 Source Pin 3 Benefits •Costcompetitivetechnology •Lowertemperature •HighESDruggedness •Enablesefficiencygainsathigherswitchingfrequencies •Enableshighpowerdensitydesignsandsmallformfactors Potentialapplications RecommendedforFlybacktopologiesforexampleusedinChargers, Adapters,LightingApplications,etc. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseperatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj=25°C 700 V RDS(on),max 0.75 Ω Qg,typ 8.3 nC ID,pulse 15.4 A Eoss @ 400V 0.9 µJ V(GS)th,typ 3 V ESD class (HBM) 1C Type/OrderingCode Package IPSA70R750P7S PG-TO 251 Final Data Sheet Marking 70S750P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.1,2018-02-12 PDF
Документация на IPSA70R750P7SAKMA1 

Datasheet IPSA70R750P7S Datasheet IPSA70R750P7S Rev. 2.1

Дата модификации: 13.02.2018

Размер: 884.4 Кб

13 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    25 декабря 2017
    статья

    CoolMOS P7: баланс эффективности и простоты использования в силовых преобразователях

    Сочетание высокой скорости коммутации и простоты использования делает серию МОП–транзисторов CoolMOS™ P7 производства Infineon идеальной для применения как в маломощных (бытовые приборы, ПК), так и в мощных (телекоммуникации, центры... ...читать

    24 августа 2017
    новость

    CoolMOS™ P7 - новые 600V и 700V силовые MOSFET

    Линейка CoolMOS™ P7 Infineon является отлично сбалансированным решением, обладающим оптимальным соотношением эффективности и цены. Ключевая особенность транзисторов линейки — возможность их применения в схемах с различными топологиями. MOSFET... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.