IPT60R022S7XTMA1

IPT60R022S7 MOSFET 600VCoolMOSªSJS7PowerDevice HSOF IPT60R022S7enablesthebestpriceperformanceforlowfrequency switchingapplications.CoolMOS™S7boaststhelowestRdsonvaluesfor aHVSJMOSFET,withdistinctiveincreaseofenergyefficiency. CoolMOS™S7isoptimizedfor“staticswitching”andhighcurrent applications.Itisanidealfitforsolidstaterelayandcircuitbreak...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGHSOF8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Сопротивление открытого канала (мин)
Рассеиваемая мощность
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IPT60R022S7 MOSFET 600VCoolMOSªSJS7PowerDevice HSOF IPT60R022S7enablesthebestpriceperformanceforlowfrequency switchingapplications.CoolMOS™S7boaststhelowestRdsonvaluesfor aHVSJMOSFET,withdistinctiveincreaseofenergyefficiency. CoolMOS™S7isoptimizedfor“staticswitching”andhighcurrent applications.Itisanidealfitforsolidstaterelayandcircuitbreakerdesigns aswellasforlinerectificationinSMPSandinvertertopologies. Tab Tab 1 2 3 45 8 6 7 8 7 6 5 4 3 2 1 Features •CoolMOS™S7technologyenables22mΩRDS(on)inthesmallestfootprint •Optimizedpriceperformanceinlowfrequencyswitchingapplications •Highpulsecurrentcapability •KelvinSourcepinimprovesswitchingperformanceathighcurrent •TOLLpackageisMSL1compliant,totalPb-free,haseasyvisual inspectionleads Drain Tab *1 Gate Pin 1 Driver Source Pin 2 Benefits •Minimizedconductionlosses(eliminate/reduceheatsink) •Increasedsystemperformance •Morecompactandeasierdesign •LowerBOMor/andTCOoverprolongedlifetime Source Pin 3-8 *1: Internal body diode Comparedtoelectromechanicaldevices: •Fasterswitchingtimes •Morereliabilityandlongersystemlifetime •Shock&Vibrationresistance •Nocontactarcing,bouncingordegradationoverlifetime Potentialapplications •Solidstaterelaysandcircuitbreakers •Linerectificationinhighpower/performanceapplicationse.g.Computing, Telecom,UPSandSolar Productvalidation FullyqualifiedaccordingtoJEDECforIndustrialApplications Pleasenote:Forparalleling4pinMOSFETdevicestheplacementofthe gateresistorisgenerallyrecommendedtobeontheDriverSourceinstead oftheGate. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit RDS(on),max 22 mΩ Qg,typ 150 nC VSD 0.82 V Pulsed ISD, IDS 375 A Type/OrderingCode Package IPT60R022S7 PG-HSOF-8 Final Data Sheet 1 Marking RelatedLinks 60R022S7 see Appendix A Rev.2.1,2021-10-25 PDF
Документация на IPT60R022S7XTMA1 

Datasheet IPT60R022S7 Datasheet IPT60R022S7 Rev. 2.1

Дата модификации: 31.10.2022

Размер: 1.28 Мб

14 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    22 февраля 2022
    статья

    Транзисторы CoolMOS S7 для твердотельных реле нового поколения

    Стефан Люкассер (Infineon) Разработанная компанией Infineon технология изготовления полевых транзисторов с суперпереходом позволила создать семейство MOSFET CoolMOS S7, которое, в свою очередь, привело к появлению на рынке малогабаритных, дешевых... ...читать

    28 декабря 2021
    статья

    Способы повышения КПД и удельной мощности инверторов для солнечных электростанций

    Мустафа Хазреи, Дамиан Зупанчич (Infineon) Какую элементную базу выбрать для проектирования инверторов для солнечных батарей – новую карбид–кремниевую или традиционную кремниевую? Специалисты Infineon приходят к неожиданному выводу:... ...читать

    23 августа 2019
    статья

    Компоненты Infineon для формовки аккумуляторных элементов питания

    Виктор Чистяков (г. Малоярославец) Один из важнейших технологических процессов в производстве литий–ионных аккумуляторов – электрохимическая формовка. Infineon предлагает новые компоненты для построения систем электропитания этого процесса.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.