IPT60R022S7XTMA1
IPT60R022S7
MOSFET
600VCoolMOSªSJS7PowerDevice
HSOF
IPT60R022S7enablesthebestpriceperformanceforlowfrequency
switchingapplications.CoolMOS™S7boaststhelowestRdsonvaluesfor
aHVSJMOSFET,withdistinctiveincreaseofenergyefficiency.
CoolMOS™S7isoptimizedfor“staticswitching”andhighcurrent
applications.Itisanidealfitforsolidstaterelayandcircuitbreak...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PGHSOF8
- Норма упаковки: 2000 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | PGHSOF8 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на IPT60R022S7XTMA1
Datasheet IPT60R022S7 Datasheet IPT60R022S7 Rev. 2.1
Дата модификации: 31.10.2022
Размер: 1.28 Мб
14 стр.
Публикации 3
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.