IPT65R033G7

IPT65R033G7 MOSFET 650VCoolMOSªC7Goldseries(G7)SJPowerDevice HSOF TheC7GOLDseries(G7)forthefirsttimebringstogetherthebenefitsof theC7GOLDCoolMOS™technology,4pinKelvinSourcecapabilityand theimprovedthermalpropertiesoftheTOLLpackagetoenableapossible SMDsolutionforhighcurrenttopologiessuchasPFCupto3kW Tab Tab 1 Features •C7Goldgivesb...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
PA IPT65R033G7XTMA1 (INFIN) PGHSOF8 2000 шт
 
A+ IPW65R019C7 (INFIN) PGTO2473 в линейках 30 шт
 
A+ IPW60R031CFD7XKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ IPW60R018CFD7XKSA1 (INFIN) TO-247-3 30 шт
A+ STY145N65M5 (ST) TO-274-3 Max247 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 650V 138A MAX247 Power Field-Effect Transistor, 138A I(D), 650V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STY112N65M5 (ST) TO-274-3 Max247 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 650V 93A MAX247 Power Field-Effect Transistor, 93A I(D), 650V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STW88N65M5 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 650V 84A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 650V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STW78N65M5 (ST) TO-247-3 30 шт MOSFET N-CH 650V 69A TO247 Power Field-Effect Transistor, 69A I(D), 650V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STE88N65M5 (ST) 10 шт
 
A+ IPW65R019C7FKSA1 (INFIN)
IPW65R019C7 (INFIN)
TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

Файлы 1

показать свернуть
IPT65R033G7 MOSFET 650VCoolMOSªC7Goldseries(G7)SJPowerDevice HSOF TheC7GOLDseries(G7)forthefirsttimebringstogetherthebenefitsof theC7GOLDCoolMOS™technology,4pinKelvinSourcecapabilityand theimprovedthermalpropertiesoftheTOLLpackagetoenableapossible SMDsolutionforhighcurrenttopologiessuchasPFCupto3kW Tab Tab 1 Features •C7GoldgivesbestinclassFOMRDS(on)*EossandRDS(on)*Qg. •C7GoldtechnologyenablesbestinclassRDS(on)insmallestfootprint. •TOLLpackagehasinbuilt4thpinKelvinSourceconfigurationandlow parasiticsourceinductance(~1nH). •TOLLpackageisMSL1compliant,totalPb-freeandhaseasyvisual inspectiongroovedleads. •TOLLSMDpackagecombinedwithleadfreedieattachprocessenables improvedthermalperformanceRth. 2 3 45 8 6 7 8 7 6 5 4 3 2 1 Drain Tab *1 Gate Pin 1 Benefits •C7GoldFOMRDS(on)*Qgis14%betterthanpreviousC7650Venabling fasterswitchingleadingtohigherefficiency. •C7Goldcanreach33mΩininTOLL115mm2footprint,whereasprevious BICC7650Vwas45mΩin150mm2D2PAKfootprint. •ReducingparasiticsourceinductancebyKelvinSourceimproves efficiencybyfasterswitchingandeaseofuseduetolessringing. •TOLLpackageiseasytouseandhasthehighestqualitystandards. •ImprovedthermalsenableSMDTOLLpackagetobeusedinhigher currentdesignsthanhasbeenpreviouslypossible. Driver Source Pin 2 Source Pin 3-8 *1: Internal body diode Potentialapplications PFCstagesandhardswitchingPWMstagesfore.g.Computing,Server, Telecom,UPSandSolar. Productvalidation FullyqualifiedaccordingtoJEDECforIndustrialApplications Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 700 V RDS(on),max 33 mΩ Qg.typ 110 nC ID,pulse 245 A ID,continuous @ Tj<150°C 77 A Eoss@400V 13.5 µJ Body diode di/dt 60 A/µs Type/OrderingCode Package IPT65R033G7 PG-HSOF-8 Final Data Sheet Marking 65R033G7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.3,2020-11-06 PDF
Документация на IPT65R033G7 

Datasheet IPT65R033G7 Datasheet IPT65R033G7 Rev. 2.3

Дата модификации: 06.11.2020

Размер: 1.18 Мб

14 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    21 июня 2018
    новость

    CoolMOS C7 Gold - флагманская линейка 600/650V MOSFET от Infineon

    Семейство CoolMOS™ C7 Gold (или G7) является на данный момент наиболее технологичным в портфолио высоковольтных MOSFET транзисторов от Infineon и включает в себя варианты на 600 В и 650 В в SMD корпусе TOLL (от английского TO Leadless). 600... ...читать

    25 мая 2018
    статья

    Впервые в безвыводных корпусах: повышение удельной мощности силовых устройств с новыми МОП-транзисторами Infineon

    Тепловые характеристики новых 650–вольтовых МОП–транзисторов IPT65R033G7 и IPT60R028G7 производства Infineon в корпусах TOLL с габаритными размерами 10,10×11,88×2,4 мм позволили впервые в отрасли реализовать силовой каскад... ...читать

    19 июля 2017
    статья

    Высоковольтные MOSFET в SMD-корпусе – реальность!

    Упаковав в новой линейке C7 Gold передовую технологию производства MOSFET–транзисторов Superjunction в SMD–корпус нового поколения TOLL с выступающими по одной стороне выводами, компания Infineon задает новые стандарты производства... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.