IPT65R105G7XTMA1

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGHSOF8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ STW45N65M5 (ST) TO-247-3 30 шт MOSFET N-CH 650V 35A TO247
A+ STF38N65M5 (ST) TO220FP 50 шт MOSFET N-CH 650V 30A TO-220FP Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 650V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STB42N65M5 (ST) TO263 1000 шт MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 650V, 0.079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
A+ STB38N65M5 (ST) TO263 1000 шт MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 650V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STB35N65M5 (ST) TO263 1000 шт MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 650V, 0.098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
A+ STW62N65M5 (ST) TO-247-3 30 шт
 
A+ STP45N65M5 (ST) TO220AB 2 шт MOSFET N-CH 650V 35A TO220 Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 650V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STW60N65M5 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 650V 46A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 650V, 0.059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STP42N65M5 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 650V 33A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 650V, 0.079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STW57N65M5-4 (ST) TO2474 30 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STW57N65M5 (ST) TO-247-3 30 шт
 
A+ STP57N65M5 (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 
A+ STP35N65M5 (ST) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 650V 27A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 650V, 0.098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STW42N65M5 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 650V 33A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 650V, 0.079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STP34N65M5 (ST) TO220AB 50 шт MOSFET N-CH 650V 28A TO-220
A+ STW38N65M5 (ST) TO-247-3 30 шт MOSFET N-CH 650V 30A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 650V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STW35N65M5 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 650V 27A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 650V, 0.098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STW34N65M5 (ST) TO-247-3 30 шт MOSFET N-CH 650V 28A TO-247
A+ STFW60N65M5 (ST) TO3PF 1 шт MOSFET N-CH TO-3PF/ISOWATT 218 Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 650V, 0.059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STFW38N65M5 (ST) TO3PF 30 шт
 
A+ STFI34N65M5 (ST) TO-262-3 50 шт MOSFET N CH 650V 28A I2PAKFP
A+ STF57N65M5 (ST) TO220FP 50 шт
 
A+ STF45N65M5 (ST) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 650V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STF42N65M5 (ST) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 650V 33A TO-220FP Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 650V, 0.079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STB45N65M5 (ST) TO263 1000 шт MOSFET N CH 650V 35A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 650V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Файлы 1

показать свернуть
IPT65R105G7 MOSFET 650VCoolMOSªC7Goldseries(G7)PowerTransistor HSOF TheC7GOLDseries(G7)forthefirsttimebringstogetherthebenefitsof theC7GOLDCoolMOS™technology,4pinKelvinSourcecapabilityand theimprovedthermalpropertiesoftheTOLLpackagetoenableapossible SMDsolutionforhighcurrenttopologiessuchasPFCupto3kW Tab 12 Features •C7GoldgivesbestinclassFOMRDS(on)*EossandRDS(on)*Qg. •C7GoldtechnologyenablesbestinclassRDS(on)insmallestfootprint. •TOLLpackagehasinbuilt4thpinKelvinSourceconfigurationandlow parasiticsourceinductance(~1nH). •TOLLpackageisMSL1compliant,totalPb-free,haseasyvisual inspectiongroovedleadsandisqualifiedforindustrialapplications accordingtoJEDEC(J-STD20andJESD22). •TOLLSMDpackagecombinedwithleadfreedieattachprocessenables improvedthermalperformanceRth. 34 56 78 Drain Tab Gate Pin 1 Driver Source Pin 2 Benefits •C7GoldFOMRDS(on)*Qgis14%betterthanpreviousC7650Venabling fasterswitchingleadingtohigherefficiency. •C7Goldcanreach33mΩininTOLL115mm2footprint,whereasprevious BICC7650Vwas45mΩin150mm2D2PAKfootprint. •ReducingparasiticsourceinductancebyKelvinSourceimproves efficiencybyfasterswitchingandeaseofuseduetolessringing. •TOLLpackageiseasytouseandhasthehighestqualitystandards. •ImprovedthermalsenableSMDTOLLpackagetobeusedinhigher currentdesignsthanhasbeenpreviouslypossible. Source Pin 3-8 Applications PFCstagesandhardswitchingPWMstagesfore.g.Computing,Server, Telecom,UPSandSolar. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 700 V RDS(on),max 105 mΩ Qg.typ 35 nC ID,pulse 75 A ID,continuous @ Tj<150°C 32 A Eoss@400V 4.2 µJ Body diode di/dt 55 A/µs Type/OrderingCode Package IPT65R105G7 PG-HSOF-8 Final Data Sheet Marking 65R105G7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.2,2017-03-20 PDF
Документация на IPT65R105G7XTMA1 

Datasheet IPT65R105G7 Datasheet IPT65R105G7 Rev. 2.2

Дата модификации: 20.03.2017

Размер: 1.17 Мб

14 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    21 июня 2018
    новость

    CoolMOS C7 Gold - флагманская линейка 600/650V MOSFET от Infineon

    Семейство CoolMOS™ C7 Gold (или G7) является на данный момент наиболее технологичным в портфолио высоковольтных MOSFET транзисторов от Infineon и включает в себя варианты на 600 В и 650 В в SMD корпусе TOLL (от английского TO Leadless). 600... ...читать

    25 мая 2018
    статья

    Впервые в безвыводных корпусах: повышение удельной мощности силовых устройств с новыми МОП-транзисторами Infineon

    Тепловые характеристики новых 650–вольтовых МОП–транзисторов IPT65R033G7 и IPT60R028G7 производства Infineon в корпусах TOLL с габаритными размерами 10,10×11,88×2,4 мм позволили впервые в отрасли реализовать силовой каскад... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.