IPT65R195G7XTMA1

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PGHSOF8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ IPP60R170CFD7XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт
A+ STP30N65M5 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 650V 22A TO220
A+ SPW24N60C3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247

Файлы 1

показать свернуть
IPT65R195G7 MOSFET 650VCoolMOSªC7Goldseries(G7)PowerTransistor HSOF TheC7GOLDseries(G7)forthefirsttimebringstogetherthebenefitsof theC7GOLDCoolMOS™technology,4pinKelvinSourcecapabilityand theimprovedthermalpropertiesoftheTOLLpackagetoenableapossible SMDsolutionforhighcurrenttopologiessuchasPFCupto3kW Tab 12 Features •C7GoldgivesbestinclassFOMRDS(on)*EossandRDS(on)*Qg. •C7GoldtechnologyenablesbestinclassRDS(on)insmallestfootprint. •TOLLpackagehasinbuilt4thpinKelvinSourceconfigurationandlow parasiticsourceinductance(~1nH). •TOLLpackageisMSL1compliant,totalPb-free,haseasyvisual inspectiongroovedleadsandisqualifiedforindustrialapplications accordingtoJEDEC(J-STD20andJESD22). •TOLLSMDpackagecombinedwithleadfreedieattachprocessenables improvedthermalperformanceRth. 34 56 78 Drain Tab Gate Pin 1 Driver Source Pin 2 Benefits •C7GoldFOMRDS(on)*Qgis14%betterthanpreviousC7650Venabling fasterswitchingleadingtohigherefficiency. •C7Goldcanreach33mΩininTOLL115mm2footprint,whereasprevious BICC7650Vwas45mΩin150mm2D2PAKfootprint. •ReducingparasiticsourceinductancebyKelvinSourceimproves efficiencybyfasterswitchingandeaseofuseduetolessringing. •TOLLpackageiseasytouseandhasthehighestqualitystandards. •ImprovedthermalsenableSMDTOLLpackagetobeusedinhigher currentdesignsthanhasbeenpreviouslypossible. Source Pin 3-8 Applications PFCstagesandhardswitchingPWMstagesfore.g.Computing,Server, Telecom,UPSandSolar. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 700 V RDS(on),max 195 mΩ Qg.typ 20 nC ID,pulse 41 A ID,continuous @ Tj<150°C 18 A Eoss@400V 2.3 µJ Body diode di/dt 60 A/µs Type/OrderingCode Package IPT65R195G7 PG-HSOF-8 Final Data Sheet Marking 65R195G7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.2,2017-03-20 PDF
Документация на IPT65R195G7XTMA1 

Datasheet IPT65R195G7 Datasheet IPT65R195G7 Rev. 2.2

Дата модификации: 20.03.2017

Размер: 1.19 Мб

14 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    23 августа 2019
    статья

    Компоненты Infineon для формовки аккумуляторных элементов питания

    Виктор Чистяков (г. Малоярославец) Один из важнейших технологических процессов в производстве литий–ионных аккумуляторов – электрохимическая формовка. Infineon предлагает новые компоненты для построения систем электропитания этого процесса.... ...читать

    21 июня 2018
    новость

    CoolMOS C7 Gold - флагманская линейка 600/650V MOSFET от Infineon

    Семейство CoolMOS™ C7 Gold (или G7) является на данный момент наиболее технологичным в портфолио высоковольтных MOSFET транзисторов от Infineon и включает в себя варианты на 600 В и 650 В в SMD корпусе TOLL (от английского TO Leadless). 600... ...читать

    25 мая 2018
    статья

    Впервые в безвыводных корпусах: повышение удельной мощности силовых устройств с новыми МОП-транзисторами Infineon

    Тепловые характеристики новых 650–вольтовых МОП–транзисторов IPT65R033G7 и IPT60R028G7 производства Infineon в корпусах TOLL с габаритными размерами 10,10×11,88×2,4 мм позволили впервые в отрасли реализовать силовой каскад... ...читать

    19 июля 2017
    статья

    Высоковольтные MOSFET в SMD-корпусе – реальность!

    Упаковав в новой линейке C7 Gold передовую технологию производства MOSFET–транзисторов Superjunction в SMD–корпус нового поколения TOLL с выступающими по одной стороне выводами, компания Infineon задает новые стандарты производства... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.