IPU80R1K4P7AKMA1

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO251
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ STB7NK80ZT4 (ST) TO263 в ленте 1000 шт MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
A+ STP6N80K5 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 4.5A TO-220AB
A+ STW9NK95Z (ST) TO-247-3 30 шт MOSFET N-CH 950V 7A TO-247
A+ STW9NK90Z (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 900V 8A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 900V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
A+ STW8NK80Z (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STW7N95K3 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 950V, 1.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
A+ STI6N80K5 (ST) TO-262-3 50 шт
 
A+ STD8N80K5 (ST) TO252 2500 шт MOSFET N CH 800V 6A DPAK Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ STD7NM80 (ST) TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 800V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ STD7N80K5 (ST) TO252 2500 шт MOSFET N-CH 800V 6A DPAK Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ STD6N80K5 (ST) TO252 2500 шт MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
A+ STFI8N80K5 (ST) TO-262-3 50 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STW10N95K5 (ST) TO-247-3 30 шт
 
A+ STFI7N80K5 (ST) TO-262-3 50 шт
 
A+ STU8N80K5 (ST) TO251 75 шт MOSFET N CH 800V 6A IPAK Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
A+ STFI6N80K5 (ST) TO-262-3 50 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STU7N80K5 (ST) TO251 75 шт MOSFET N CH 800V 6A IPAK Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
A+ STF8N80K5 (ST) TO220FP 50 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STF7N80K5 (ST) TO220FP 50 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STB9NK90Z (ST) TO263 MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 900V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STP9NK90Z (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 900V 8A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 900V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ SPP08N80C3XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB
A+ SPD06N80C3ATMA1 (INFIN) TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ STF9NK90Z (ST) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 900V 8A TO-220FP Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 900V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STP7N80K5 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 6A TO220 Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Файлы 1

показать свернуть
IPU80R1K4P7 MOSFET 800VCoolMOSªP7PowerTransistor IPAK Thelatest800VCoolMOS™P7seriessetsanewbenchmarkin800V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation. tab Features •Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss •Best-in-classDPAKRDS(on) •Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V •IntegratedZenerDiodeESDprotection •Best-in-classCoolMOS™qualityandreliability;qualifiedforindustrial gradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20andJESD22) •Fullyoptimizedportfolio Benefits 1 2 3 Drain Pin 2, Tab Gate Pin 1 •Best-in-classperformance •Enablinghigherpowerdensitydesigns,BOMsavingsandlower assemblycosts •Easytodriveandtoparallel •BetterproductionyieldbyreducingESDrelatedfailures •Lessproductionissuesandreducedfieldreturns •Easytoselectrightpartsforfinetuningofdesigns Source Pin 3 Applications RecommendedforhardandsoftswitchingflybacktopologiesforLED Lighting,lowpowerChargersandAdapters,Audio,AUXpowerand Industrialpower.AlsosuitableforPFCstageinConsumerapplications andSolar. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseperatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj=25°C 800 V RDS(on),max 1.4 Ω Qg,typ 10 nC ID 4 A Eoss @ 500V 0.9 µJ VGS(th),typ 3 V ESD class (HBM) 2 - Type/OrderingCode Package IPU80R1K4P7 PG-TO 251 Final Data Sheet Marking 80R1K4P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2016-07-05 PDF
Документация на IPU80R1K4P7AKMA1 

Datasheet IPU80R1K4P7 Datasheet IPU80R1K4P7 Rev. 2.0

Дата модификации: 05.07.2016

Размер: 1.22 Мб

13 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    17 мая 2019
    новость

    Тонкости применения транзисторов CoolMOS серии P7 (материалы вебинара)

    Программа показатьсвернуть Компания Компэл приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном особенностям и тонкостям применения транзисторов компании INFINEON из серии CoolMOS, имеющих малые размеры кристаллов. Речь пойдёт о тепловом... ...читать

    04 апреля 2018
    новость

    Расширение номенклатуры 800V CoolMOS P7 транзисторов

    Infineon расширила семейство 800 В MOSFET CoolMOS™ P7 транзисторами в корпусах TO–220 FP Narrow Lead и SOT–223. Кроме этого, появились дополнительные представители семейства в ранее анонсированных корпусах. Например, транзисторы... ...читать

    21 марта 2017
    новость

    Новые 800V MOSFET P7 CoolMOS™ от Infineon

    Компания Infineon выпустила новое семейство P7 высоковольтных MOSFET на напряжение 800 В. Транзисторы серии CoolMOS™ P7 – это новый виток развития технологии Superjuction, пионером которой и являлся Infineon. Целевым применением MOSFET серии P7... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.