IPU80R4K5P7AKMA1

Infineon
MOSFET N-CH 800V 1.5A IPAK
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид IPU80R4K5P7AKMA1

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO251
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= STD3NK80Z-1 (ST)
 
TO251 в линейках 75 шт MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK — —
P= STU2N80K5 (ST)
 
TO251 75 шт
 
 — —
A+ STP3NK90Z (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 900V 3A TO-220 — —
A+ IRFBE30PBF (VISH/IR)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт — — —
A+ STP3N80K5 (ST)
 
TO220AB 50 шт
 
 — —
A+ STL2N80K5 (ST)
 
POWERFLAT 3000 шт
 
 — —
A+ STF4N80K5 (ST)
 
TO220FP 50 шт
 
 — —
A+ STD2N80K5 (ST)
 
TO252 2500 шт
 
 — —
A+ STF3N80K5 (ST)
 
TO220FP 50 шт
 
 — —
A+ STP2N80K5 (ST)
 
TO220AB 50 шт
 
 — —
A+ STF2N80K5 (ST)
 
TO220FP 50 шт
 
 — —
A+ STU4N80K5 (ST)
 
TO251 в линейках 75 шт
 
 — —
A+ STD3NK80ZT4 (ST)
 
TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK — —
A+ IPD80R2K4P7ATMA1 (INFIN)
 
TO252 2500 шт —
A+ IPD80R4K5P7ATMA1 (INFIN)
 
TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK —
A+ IPD80R2K0P7ATMA1 (INFIN)
 
TO252 в ленте 2500 шт —
A+ SPP02N80C3XKSA1 (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 2A TO-220AB — —
A+ SPD02N80C3ATMA1 (INFIN)
 
TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252 — —
A+ STP4NK80Z (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 3A TO-220 — —
A+ STP3NK90ZFP (ST)
 
TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 900V 3A TO-220FP — —
A+ STP3NK80Z (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220 — —
A+ STF3NK80Z (ST)
 
TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP — —
A+ STD4NK80ZT4 (ST)
 
TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 800V 3A DPAK — —
A+ STD3NK90ZT4 (ST)
 
TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 900V 3A DPAK —
A+ IPD80R3K3P7ATMA1 (INFIN)
 
TO252 в ленте 2500 шт —
A+ STD3N80K5 (ST)
 
TO252 2500 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
IPU80R4K5P7 MOSFET 800VCoolMOSªP7PowerTransistor IPAK Thelatest800VCoolMOS™P7seriessetsanewbenchmarkin800V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation. tab Features •Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss •Best-in-classDPAKRDS(on) •Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V •IntegratedZenerDiodeESDprotection •Best-in-classCoolMOS™qualityandreliability;qualifiedforindustrial gradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20andJESD22) •Fullyoptimizedportfolio Benefits 1 2 3 Drain Pin 2, Tab Gate Pin 1 •Best-in-classperformance •Enablinghigherpowerdensitydesigns,BOMsavingsandlower assemblycosts •Easytodriveandtoparallel •BetterproductionyieldbyreducingESDrelatedfailures •Lessproductionissuesandreducedfieldreturns •Easytoselectrightpartsforfinetuningofdesigns Source Pin 3 Applications RecommendedforhardandsoftswitchingflybacktopologiesforLED Lighting,lowpowerChargersandAdapters,Audio,AUXpowerand Industrialpower.AlsosuitableforPFCstageinConsumerapplications andSolar. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseperatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj=25°C 800 V RDS(on),max 4.5 Ω Qg,typ 4 nC ID 1.5 A Eoss @ 500V 0.4 µJ VGS(th),typ 3 V ESD class (HBM) 1C - Type/OrderingCode Package IPU80R4K5P7 PG-TO 251 Final Data Sheet Marking 80R4K5P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2016-07-05 PDF
Документация на IPU80R4K5P7AKMA1 

Datasheet IPU80R4K5P7 Datasheet IPU80R4K5P7 Rev. 2.0

Дата модификации: 05.07.2016

Размер: 1.22 Мб

13 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    23 августа 2019
    статья

    Компоненты Infineon для формовки аккумуляторных элементов питания

    Виктор Чистяков (г. Малоярославец) Один из важнейших технологических процессов в производстве литий–ионных аккумуляторов – электрохимическая формовка. Infineon предлагает новые компоненты для построения систем электропитания этого процесса.... ...читать

    04 апреля 2018
    новость

    Расширение номенклатуры 800V CoolMOS P7 транзисторов

    Infineon расширила семейство 800 В MOSFET CoolMOS™ P7 транзисторами в корпусах TO–220 FP Narrow Lead и SOT–223. Кроме этого, появились дополнительные представители семейства в ранее анонсированных корпусах. Например, транзисторы... ...читать

    21 марта 2017
    новость

    Новые 800V MOSFET P7 CoolMOS™ от Infineon

    Компания Infineon выпустила новое семейство P7 высоковольтных MOSFET на напряжение 800 В. Транзисторы серии CoolMOS™ P7 – это новый виток развития технологии Superjuction, пионером которой и являлся Infineon. Целевым применением MOSFET серии P7... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16409Q3 (TI)