IPW60R037P7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMJ90N60C4 (WAYON) TO-247-3 в линейках 330 шт

Файлы 1

показать свернуть
IPW60R037P7 MOSFET 600VCoolMOSªP7PowerTransistor PG-TO247-3 TheCoolMOS™7thgenerationplatformisarevolutionarytechnologyfor highvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction (SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.The600V CoolMOS™P7seriesisthesuccessortotheCoolMOS™P6series.It combinesthebenefitsofafastswitchingSJMOSFETwithexcellentease ofuse,e.g.verylowringingtendency,outstandingrobustnessofbody diodeagainsthardcommutationandexcellentESDcapability. Furthermore,extremelylowswitchingandconductionlossesmake switchingapplicationsevenmoreefficient,morecompactandmuch cooler. Features •Suitableforhardandsoftswitching(PFCandLLC)duetoanoutstanding commutationruggedness •Significantreductionofswitchingandconductionlosses •ExcellentESDrobustness>2kV(HBM)forallproducts •BetterRDS(on)/packageproductscomparedtocompetitionenabledbya lowRDS(on)*A(below1Ohm*mm²) •LargeportfoliowithgranularRDS(on)selectionqualifiedforavarietyof industrialandconsumergradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20 andJESD22) Drain Pin 2, Tab Gate Pin 1 Source Pin 3 Benefits •Easeofuseandfastdesign-inthroughlowringingtendencyandusage acrossPFCandPWMstages •Simplifiedthermalmanagementduetolowswitchingandconduction losses •Increasedpowerdensitysolutionsenabledbyusingproductswith smallerfootprintandhighermanufacturingqualitydueto>2kVESD protection •Suitableforawidevarietyofapplicationsandpowerranges Applications PFC,hardswitchingPWMandresonantswitchingpowerstages.e.g.PC Silverbox,Adapter,LCD&PDPTV,Lighting,Server,Telecom&UPS Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 650 V RDS(on),max 37 mΩ Qg.typ 121 nC ID,pulse 280 A Eoss@400V 11.7 µJ Body diode di/dt 900 A/µs Type/OrderingCode Package IPW60R037P7 PG-TO 247-3 Final Data Sheet Marking 60R037P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.1,2017-02-17 PDF
Документация на IPW60R037P7XKSA1 

Datasheet IPW60R037P7 Datasheet IPW60R037P7 Rev. 2.1

Дата модификации: 17.02.2017

Размер: 1.22 Мб

14 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    23 августа 2019
    статья

    Компоненты Infineon для формовки аккумуляторных элементов питания

    Виктор Чистяков (г. Малоярославец) Один из важнейших технологических процессов в производстве литий–ионных аккумуляторов – электрохимическая формовка. Infineon предлагает новые компоненты для построения систем электропитания этого процесса.... ...читать

    17 мая 2019
    новость

    Тонкости применения транзисторов CoolMOS серии P7 (материалы вебинара)

    Программа показатьсвернуть Компания Компэл приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном особенностям и тонкостям применения транзисторов компании INFINEON из серии CoolMOS, имеющих малые размеры кристаллов. Речь пойдёт о тепловом... ...читать

    25 декабря 2017
    статья

    CoolMOS P7: баланс эффективности и простоты использования в силовых преобразователях

    Сочетание высокой скорости коммутации и простоты использования делает серию МОП–транзисторов CoolMOS™ P7 производства Infineon идеальной для применения как в маломощных (бытовые приборы, ПК), так и в мощных (телекоммуникации, центры... ...читать

    24 августа 2017
    новость

    CoolMOS™ P7 - новые 600V и 700V силовые MOSFET

    Линейка CoolMOS™ P7 Infineon является отлично сбалансированным решением, обладающим оптимальным соотношением эффективности и цены. Ключевая особенность транзисторов линейки — возможность их применения в схемах с различными топологиями. MOSFET... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.