IPW60R045P7XKSA1

IPB60R045P7 MOSFET 600VCoolMOSªP7PowerTransistor D²PAK TheCoolMOS™7thgenerationplatformisarevolutionarytechnologyfor highvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction (SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.The600V CoolMOS™P7seriesisthesuccessortotheCoolMOS™P6series.It combinesthebenefitsofafastswitchingSJMOSFETwithexcellent...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IPB60R045P7 MOSFET 600VCoolMOSªP7PowerTransistor D²PAK TheCoolMOS™7thgenerationplatformisarevolutionarytechnologyfor highvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction (SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.The600V CoolMOS™P7seriesisthesuccessortotheCoolMOS™P6series.It combinesthebenefitsofafastswitchingSJMOSFETwithexcellentease ofuse,e.g.verylowringingtendency,outstandingrobustnessofbody diodeagainsthardcommutationandexcellentESDcapability. Furthermore,extremelylowswitchingandconductionlossesmake switchingapplicationsevenmoreefficient,morecompactandmuch cooler. tab 2 1 3 Features •Suitableforhardandsoftswitching(PFCandLLC)duetoanoutstanding  commutationruggedness •Significantreductionofswitchingandconductionlosses •ExcellentESDrobustness>2kV(HBM)forallproducts •BetterRDS(on)/packageproductscomparedtocompetitionenabledbya  lowRDS(on)*A(below1Ohm*mm²) Drain Pin 2, Tab Gate Pin 1 Source Pin 3 Benefits •Easeofuseandfastdesign-inthroughlowringingtendencyandusage  acrossPFCandPWMstages •Simplifiedthermalmanagementduetolowswitchingandconduction  losses •Increasedpowerdensitysolutionsenabledbyusingproductswith  smallerfootprintandhighermanufacturingqualitydueto>2kVESD  protection •Suitableforawidevarietyofapplicationsandpowerranges Potentialapplications PFCstages,hardswitchingPWMstagesandresonantswitchingstages fore.g.PCSilverbox,Adapter,LCD&PDPTV,Lighting,Server,Telecom andUPS. Productvalidation FullyqualifiedaccordingtoJEDECforIndustrialApplications Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 650 V RDS(on),max 45 mΩ Qg,typ 90 nC ID,pulse 206 A Eoss @ 400V 9.4 µJ Body diode diF/dt 900 A/µs Type/OrderingCode Package IPB60R045P7 PG-TO 263-3 Final Data Sheet Marking 60R045P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2019-02-28 PDF
Документация на IPB60R045P7ATMA1 

Datasheet IPB60R045P7 Datasheet IPB60R045P7 Rev. 2.0

Дата модификации: 28.02.2019

Размер: 1.33 Мб

14 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    03 февраля 2020
    новость

    Новая линейка 600 В CoolMOS транзисторов P7 от Infineon

    600–вольтовые super–junction MOSFET CoolMOS P7 являются преемниками серии 600 В CoolMOS P6. Данные транзисторы наследуют тот же принцип высокой эффективности при простоте использования. Транзисторы этой линейки имеют лучшие в своем... ...читать

    25 декабря 2017
    статья

    CoolMOS P7: баланс эффективности и простоты использования в силовых преобразователях

    Сочетание высокой скорости коммутации и простоты использования делает серию МОП–транзисторов CoolMOS™ P7 производства Infineon идеальной для применения как в маломощных (бытовые приборы, ПК), так и в мощных (телекоммуникации, центры... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.