IPW60R170CFD7

IPW60R170CFD7 MOSFET 600VCoolMOSªCFD7PowerTransistor PG-TO247-3 CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.ThelatestCoolMOS™CFD7isthe successortotheCoolMOS™CFD2seriesandisanoptimizedplatform tailoredtotargetsoftswitchingapplicationssuchasphase...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IPW60R170CFD7 MOSFET 600VCoolMOSªCFD7PowerTransistor PG-TO247-3 CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.ThelatestCoolMOS™CFD7isthe successortotheCoolMOS™CFD2seriesandisanoptimizedplatform tailoredtotargetsoftswitchingapplicationssuchasphase-shiftfull-bridge (ZVS)andLLC.Resultingfromreducedgatecharge(Qg),best-in-class reverserecoverycharge(Qrr)andimprovedturnoffbehaviorCoolMOS™ CFD7offershighestefficiencyinresonanttopologies.AspartofInfineon’s fastbodydiodeportfolio,thisnewproductseriesblendsalladvantagesof afastswitchingtechnologytogetherwithsuperiorhardcommutation robustness,withoutsacrificingeasyimplementationinthedesign-in process.TheCoolMOS™CFD7technologymeetshighestefficiencyand reliabilitystandardsandfurthermoresupportshighpowerdensity solutions.Altogether,CoolMOS™CFD7makesresonantswitching topologiesmoreefficient,morereliable,lighterandcooler. Drain Pin 2 Gate Pin 1 Features Source Pin 3 •Ultra-fastbodydiode •Lowgatecharge •Best-in-classreverserecoverycharge(Qrr) •ImprovedMOSFETreversediodedv/dtanddiF/dtruggedness •LowestFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss •Best-in-classRDS(on)inSMDandTHDpackages Benefits •Excellenthardcommutationruggedness •Highestreliabilityforresonanttopologies •Highestefficiencywithoutstandingease-of-use/performancetradeoff •Enablingincreasedpowerdensitysolutions Potentialapplications SuiteableforSoftSwitchingtopologies Optimizedforphase-shiftfull-bridge(ZVS),LLCApplications–Server, Telecom,EVCharging ProductValidation:Qualifiedforindustrialapplicationsaccordingtothe relevanttestsofJEDEC47/20/22 Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 650 V RDS(on),max 170 mΩ Qg,typ 28 nC ID,pulse 51 A Eoss @ 400V 3.2 µJ Body diode diF/dt 1300 A/µs Type/OrderingCode Package IPW60R170CFD7 PG-TO 247-3 Final Data Sheet Marking 60R170F7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.1,2017-12-12 PDF
Документация на IPW60R170CFD7 

Datasheet IPW60R170CFD7 Datasheet IPW60R170CFD7 Rev. 2.1

Дата модификации: 12.12.2017

Размер: 1.34 Мб

14 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    04 сентября 2019
    статья

    Транзисторы CoolMOS™ с диодами CFD7 для резонансных преобразователей с высоким КПД

    Александр Русу (г. Одесса) Транзисторы CoolMOS™ производства Infineon с диодами CFD7 со сверхмалой величиной заряда обратного восстановления идеальны для выпрямительных устройств вычислительной и телекоммуникационной техники. Специфическая... ...читать

    23 июля 2018
    новость

    600V CoolMOS CFD7 MOSFET - идеальное решение для мощных резонансных преобразователей

    Резонансные источники питания (ИП) занимают все большую долю рынка. Именно для таких применений предназначена новая серия 600 В MOSFET CoolMOS™ CFD7 от Infineon. Транзисторы представлены как в выводных (TO–220, TO–220 FP,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.