IPW80R280P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 17A TO247
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= STW18NM80 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STP21N90K5 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 900V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STF25N80K5 (ST) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP Power Field-Effect Transistor, 19.5A I(D), 800V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STF21N90K5 (ST) TO220FP 50 шт MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220FP Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 900V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STF18NM80 (ST) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STB21N90K5 (ST) TO263 в ленте 1000 шт MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 900V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
A+ STB18NM80 (ST) TO263 1000 шт MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
A+ STP25N80K5 (ST) TO220AB 50 шт MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220 Power Field-Effect Transistor, 19.5A I(D), 800V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STW21N90K5 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-247 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 900V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
A+ STP18NM80 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ IXFK34N80 (IXYS) TO264 в линейках 25 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
IPW80R280P7 MOSFET 800VCoolMOSªP7PowerTransistor PG-TO247 Thelatest800VCoolMOS™P7seriessetsanewbenchmarkin800V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation. Features •Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss •Best-in-classDPAKRDS(on) •Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V •IntegratedZenerDiodeESDprotection •Best-in-classCoolMOS™qualityandreliability;qualifiedforindustrial gradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20andJESD22) •Fullyoptimizedportfolio Benefits Drain Pin 2, Tab Gate Pin 1 •Best-in-classperformance •Enablinghigherpowerdensitydesigns,BOMsavingsandlower assemblycosts •Easytodriveandtoparallel •BetterproductionyieldbyreducingESDrelatedfailures •Lessproductionissuesandreducedfieldreturns •Easytoselectrightpartsforfinetuningofdesigns Source Pin 3 Applications RecommendedforhardandsoftswitchingflybacktopologiesforLED Lighting,lowpowerChargersandAdapters,Audio,AUXpowerand Industrialpower.AlsosuitableforPFCstageinConsumerapplications andSolar. Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseperatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj=25°C 800 V RDS(on),max 0.28 Ω Qg,typ 36 nC ID 17 A Eoss @ 500V 4 µJ VGS(th),typ 3 V ESD class (HBM) 2 - Type/OrderingCode Package IPW80R280P7 PG-TO 247 Final Data Sheet Marking 80R280P7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.0,2016-07-05 PDF
Документация на IPW80R280P7XKSA1 

Datasheet IPW80R280P7 Datasheet IPW80R280P7 Rev. 2.0

Дата модификации: 05.07.2016

Размер: 949.9 Кб

13 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    23 августа 2019
    статья

    Компоненты Infineon для формовки аккумуляторных элементов питания

    Виктор Чистяков (г. Малоярославец) Один из важнейших технологических процессов в производстве литий–ионных аккумуляторов – электрохимическая формовка. Infineon предлагает новые компоненты для построения систем электропитания этого процесса.... ...читать

    17 мая 2019
    новость

    Тонкости применения транзисторов CoolMOS серии P7 (материалы вебинара)

    Программа показатьсвернуть Компания Компэл приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном особенностям и тонкостям применения транзисторов компании INFINEON из серии CoolMOS, имеющих малые размеры кристаллов. Речь пойдёт о тепловом... ...читать

    04 апреля 2018
    новость

    Расширение номенклатуры 800V CoolMOS P7 транзисторов

    Infineon расширила семейство 800 В MOSFET CoolMOS™ P7 транзисторами в корпусах TO–220 FP Narrow Lead и SOT–223. Кроме этого, появились дополнительные представители семейства в ранее анонсированных корпусах. Например, транзисторы... ...читать

    21 марта 2017
    новость

    Новые 800V MOSFET P7 CoolMOS™ от Infineon

    Компания Infineon выпустила новое семейство P7 высоковольтных MOSFET на напряжение 800 В. Транзисторы серии CoolMOS™ P7 – это новый виток развития технологии Superjuction, пионером которой и являлся Infineon. Целевым применением MOSFET серии P7... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.