IR2301STRPBF

DRIVER, MOSFET HIGH/LOW, 2301, SOIC8; Driver IC Type:High and Low Side; Outputs, No. of:2; Voltage, Output:620V; Current, Output:200mA; Power, Dissipation Pd:0.625W; Voltage, Supply Min:5V; Case Style:SOIC; Pins, No. of:8; Temperature, Operating Range:-40°C to +150°C; Base Number:2301; IC Generic Number:2301; Logic Function Number:2301; Temp, Op. Max:150°C; Temp, Op. Min:-40°C; Termination Type:SMD; Voltage, Offset:600V; Voltage, Output Max:20V; Voltage, Output Min:10V; Voltage, Supply Max:20V; Current, Output Sink Min:250mA; Current, Output Source Min:120mA; Time, t Off:200ns; Time, t On:220ns
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Кол-во нижних каналов
Кол-во верхних каналов
Максимальное напряжение смещения
Максимальный выходной ток нарастания
Максимальный выходной ток спада
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Nнижн Nверхн Uoffset Iout+ Iout- Uизол Опции T раб Примечание Карточка
товара
P= IR2301SPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт Драйверы FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 200 мА; I...
P= IR2301S (INFIN) SO-8 SOIC8 1 шт Драйверы FET-IGBT - [SOIC-8-3.9]; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 200 мА; I...

Файлы 1

показать свернуть
Data Sheet No. PD60201 Rev.D IR2301(S) & (PbF) HIGH AND LOW SIDE DRIVER Features • Floating channel designed for bootstrap operation • • • • • • • • Packages Fully operational to +600V Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune Gate drive supply range from 5 to 20V Undervoltage lockout for both channels 3.3V, 5V and 15V input logic compatible Matched propagation delay for both channels Logic and power ground +/- 5V offset. Lower di/dt gate driver for better noise immunity Outputs in phase with inputs Also available LEAD-FREE (PbF) Description 8 Lead PDIP IR2301 8 Lead SOIC IR2301S 2106/2301//2108//2109/2302/2304 Feature Comparison The IR2301(S) are high voltage, high speed      power MOSFET and IGBT drivers with indepen!#! $    !"!  dent high and low side referenced output  %&'%*& channels. Proprietary HVIC and latch immune   '  ! %&4 ' CMOS technologies enable ruggedized mono%&7 ! 94   ' :! lithic construction. The logic input is compatible ##;! <94=9 µ %&74 ' with standard CMOS or LSTTL output, down to %&>'%*% ! 94  ' :! 3.3V logic. The output drivers feature a high ##;! <94=9 µ %&>4 ' pulse current buffer stage designed for minimum :! ! &  '  %*4 driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 volts. Typical Connection   (Refer to Lead Assignments for correct pin configuration). This/ T h e s e diagram(s) show electrical connections only. Please refer to our Application Notes and DesignTips for proper circuit board layout.              IR2301 www.irf.com 1 PDF
Документация на серию IR2301 

IR2301(S) & (PbF) revD.p65

Дата модификации: 05.04.2007

Размер: 190.3 Кб

18 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    24 июля 2018
    статья

    Мультикоптеры с управлением Infineon – от игрушек до профессиональных инструментов

    Спектр применения мультикоптеров – от простой съемки местности с воздуха до поставок товаров и предметов первой необходимости. Процесс их активного внедрения сопровождается усиленными мерами госрегулирования, ведь полеты мультикоптеров должны... ...читать

    28 ноября 2007
    статья

    G5 HVIC – новое поколение высоковольтных силовых управляющих ИС

          Драйверы MOSFET– и IGBT–транзисторов предназначены для управления мощными полупроводниковыми приборами в выходных каскадах преобразователей электрической энергии. Используются в качестве промежуточного звена... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.