IRF200P223

Infineon
IRF200P223 MOSFET StrongIRFET™ D Applications        VDSS 200V RDS(on) typ. 9.5m G UPS and Inverter applications Half-bridge and full-bridge topologies Resonant mode power supplies DC/DC and AC/DC converters OR-ing and redundant power switches Brushed and BLDC Motor drive applications Battery powered circuits ID   Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness Fully...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Особенности 200V Single N-Channel StrongIRFET™ in a TO-247AC package
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
IRF200P223 MOSFET StrongIRFET™ D Applications        VDSS 200V RDS(on) typ. 9.5m G UPS and Inverter applications Half-bridge and full-bridge topologies Resonant mode power supplies DC/DC and AC/DC converters OR-ing and redundant power switches Brushed and BLDC Motor drive applications Battery powered circuits ID   Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA Enhanced body diode dv/dt and di/dt Capability Pb-Free ; RoHS Compliant ; Halogen-Free Package Type IRF200P223 TO-247AC RDS(on), Drain-to -Source On Resistance (m ) Base part number G Gate Standard Pack Form Tube Quantity 25 I D = 60A S Source Orderable Part Number IRF200P223 100 30 25 TJ = 125°C 20 15 TJ = 25°C 10 80 60 40 20 0 5 2 4 6 8 10 12 14 16 18 25 20 Typical On-Resistance vs. Gate Voltage Final Datasheet www.infineon.com 50 75 100 125 150 175 TC , Case Temperature (°C) VGS, Gate -to -Source Voltage (V) Figure 1 D Drain 120 35 ID, Drain Current (A)  100A TO-247AC IRF200P223 Benefits  11.5m max S Figure 2 Maximum Drain Current vs. Case Temperature Please read the important Notice and Warnings at the end of this document V2.1 2020-01-07 PDF
Документация на IRF200P223 

IRF200P223 Product Datasheet

Дата модификации: 07.01.2020

Размер: 1.04 Мб

17 стр.

IRF200P223 IR MOSFET - StrongIRFET™ D Applications        VDSS 200V RDS(on) typ. 9.5m G UPS and Inverter applications Half-bridge and full-bridge topologies Resonant mode power supplies DC/DC and AC/DC converters OR-ing and redundant power switches Brushed and BLDC Motor drive applications Battery powered circuits ID S G D TO-247AC IRF200P223   Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA Enhanced body diode dv/dt and di/dt Capability Pb-Free ; RoHS Compliant ; Halogen-Free Package Type IRF200P223 TO-247AC RDS(on), Drain-to -Source On Resistance (m ) Base part number G Gate Standard Pack Form Tube Quantity 25 I D = 60A S Source Orderable Part Number IRF200P223 100 30 25 TJ = 125°C 20 15 TJ = 25°C 10 80 60 40 20 0 5 2 4 6 8 10 12 14 16 18 25 20 Typical On-Resistance vs. Gate Voltage Final Datasheet www.infineon.com 50 75 100 125 150 175 TC , Case Temperature (°C) VGS, Gate -to -Source Voltage (V) Figure 1 D Drain 120 35 ID, Drain Current (A)  100A D Benefits  11.5m max S Figure 2 Maximum Drain Current vs. Case Temperature Please read the important Notice and Warnings at the end of this document V1.0 2017-02-27 PDF
Документация на IRF200P223 

IR MOSFET - StrongIRFET™-IRF200P223

Дата модификации: 28.02.2017

Размер: 1.04 Мб

17 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    03 марта 2022
    статья

    Преимущества многоуровневых преобразователей для систем хранения энергии

    Питер Б. Грин (Infineon) В многоуровневых преобразователях, используемых для систем хранения энергии, выработанной, например, солнечными батареями, можно использовать транзисторы семейств StrongIRFET или OptiMOS производства Infineon в... ...читать

    21 марта 2018
    новость

    Новые 200-300V StrongIRFET от Infineon в корпусе TO-247AC

    Транзисторы семейства StrongIRFET™ от Infineon позиционируются как замена недорогим MOSFET, выполненным по планарной технологии. Новые транзисторы характеризуются высоким уровнем допустимой токовой нагрузки, низкими значениями RDS(on),... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16340Q3 (TI)