IRF3717PBF

MOSFET, N, LOGIC, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:20V; Current, Id Cont:20A; Resistance, Rds On:0.0044ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:160A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Marking, SMD:IRF3717PBF; Pins, No. of:8; Pitch, Row:6.3mm; Power Dissipation:2.5W; Power, Pd:2.5W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:20V; Width, External:4.05mm
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRF7401TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ CSD16340Q3 (TI) SON8 2500 шт
 
25V, N Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ IRFH5250DTRPBF (INFIN) PQFN8 в ленте 4000 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF6811STRPBF (INFIN) DIRECTFETSQ 4800 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.