IRF3717TRPBF

MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRF3717PBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
P= IRF7401TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ NTTFS4H05NTAG (ONS) DFN-8 WDFN8 1500 шт
 
A+ NTMFS4H02NFT1G (ONS) DFN-8 TDFN8 1500 шт
 
A+ IRF6811STRPBF (INFIN) DIRECTFETSQ 4800 шт
 
A+ IRF6714MTR1PBF (INFIN) DIRECTFETMX в ленте 1000 шт
 
N-ch Power MOSFET 25V, 1.6mOhm, 29nC, DirectFET
A+ NTTFS4H05NTWG (ONS) DFN-8 WDFN8 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.