IRF3717TRPBF

MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= STS6NF20V (ST) SO-8 SOIC8 2500 шт MOSFET N-CH 20V 6A 8SOIC Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P= IRF3717PBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
P= IRF7456TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ WMQ30N02T1 (WAYON) PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ SI4630DY-T1-E3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 25V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ SI4186DY-T1-GE3 (VISHAY)
 
Small Signal Field-Effect Transistor, 35.8A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
A+ SI4114DY-T1-GE3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 400 шт MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 15.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CSD16340Q3 (TI) SON8 2500 шт
 
25V, N Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ SI4114DY-T1-E3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 15.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CSD16415Q5 (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
A+ CSD16414Q5 (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ CSD16325Q5 (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ SI4630DY-T1-GE3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 25V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CSD16403Q5A (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ CSD16342Q5A (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
N-Channel NexFET™ Power MOSFET....
A+ CSD16327Q3 (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
A+ IRFH5250DTRPBF (INFIN) PQFN8 в ленте 4000 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF6811STRPBF (INFIN) DIRECTFETSQ 4800 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 25V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CSD16401Q5 (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ SIR410DP-T1-GE3 (VISHAY) POWERPAKSO8 1 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ SIS410DN-T1-GE3 (VISHAY) POWERPAK12128 10 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 20V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.