IRF6604

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:12.5A; On Resistance, Rds(on):11.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:7V; Package/Case:DirectFET MQ
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Серия: IRF6604  
  • Корпус: DIRECTFETMQ
  • Норма упаковки: 1  шт.
  • не рекомендуется для новых разработок

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DIRECTFETMQ
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ SUD50N04-8m8P-4GE3 (VISHAY) TO252 1 шт MOSFET N-CH 40V 14A TO-252 Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 40V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ IRFHM830TRPBF (INFIN) QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 21A PQFN Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ IRFH3702TRPBF (INFIN) QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF8721PBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF8714TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7832TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7828TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт Полевой транзистор.
30V. 13.6A. HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF6613TRPBF (INFIN) DIRECTFETMT 4800 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF6607TR1 (INFIN) DIRECTFETMT в ленте 1000 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Файлы 1

показать свернуть
PD - 94365E IRF6604 Application Specific MOSFETs l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Low Conduction Losses l Low Switching Losses l Low Profile (<0.7 mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with existing Surface Mount Techniques l HEXFET® Power MOSFET VDSS RDS(on) max Qg 30V 11.5mΩ@VGS = 7.0V 13mΩ@VGS = 4.5V 17nC DirectFET™ ISOMETRIC MQ Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline (see p.9,10 for details) SQ SX ST MQ MX MT Description The IRF6604 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance charge product in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and process. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, IMPROVING previous best thermal resistance by 80%. The IRF6604 balances both low resistance and low charge along with ultra low package inductance to reduce both conduction and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of processors operating at higher frequencies. The IRF6604 has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck converters including Rds(on) and gate charge to minimize losses in the control FET socket. Absolute Maximum Ratings Parameter VDS VGS ID @ TC = 25°C ID @ TA = 25°C ID @ TA = 70°C IDM PD @TA = 25°C PD @TA = 70°C PD @TC = 25°C Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 7.0V Continuous Drain Current, VGS @ 7.0V Continuous Drain Current, VGS @ 7.0V c TJ TSTG Pulsed Drain Current Power Dissipation Power Dissipation Power Dissipation Linear Derating Factor Operating Junction and Storage Temperature Range RθJA RθJA RθJA RθJC RθJ-PCB Junction-to-Ambient Junction-to-Ambient Junction-to-Ambient Junction-to-Case Junction-to-PCB Mounted g g Max. Units 30 ±12 49 12 9.2 92 2.3 1.5 42 0.018 -40 to + 150 V A W W/°C °C Thermal Resistance Parameter fj gj hj ij Notes  through ˆ are on page 11 www.irf.com Typ. Max. Units ––– 12.5 20 ––– 1.0 55 ––– ––– 3.0 ––– °C/W 1 11/16/05 PDF
Документация на серию IRF6604 

IRF6604.pmd

Дата модификации: 18.08.2007

Размер: 629.9 Кб

13 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.