IRF6811STRPBF
- Группа: FET транзисторы
- Серия: IRF6811SPBF
- Корпус: DIRECTFETSQ
- Норма упаковки: 4800 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | DIRECTFETSQ | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание: Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 25V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | RMW200N03TB (ROHM) | SMD8 | — | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на серию IRF6811SPBF
IRF6811SPbF.pmd
Дата модификации: 28.01.2011
Размер: 253.7 Кб
9 стр.
Публикации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.