IRF6811STRPBF

Infineon
MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DIRECTFETSQ
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 25V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ RMW200N03TB (ROHM)
 
SMD8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —

Файлы 1

показать свернуть
PD-97634 IRF6811SPbF IRF6811STRPbF DirectFET®plus Power MOSFET ‚ l l l l l l l l l l RoHS Compliant and Halogen Free  Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible  Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching  Ideal for CPU Core DC-DC Converters Optimized for Control FET Application Compatible with existing Surface Mount Techniques  100% Rg tested Footprint compatible to DirectFET Typical values (unless otherwise specified) VDSS VGS RDS(on) RDS(on) 25V max ±16V max 2.8mΩ @ 10V 4.1mΩ @ 4.5V Qg Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) 4.2nC 1.4nC 23nC 11nC 1.6V tot 11nC D G D S ISOMETRIC SQ Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline (see p.7,8 for details) SQ SX ST MQ MX MT MP Description The IRF6811STRPbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET ® packaging to achieve improved performance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET® package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET® package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, improving previous best thermal resistance by 80%. The IRF6811STRPbF has low gate resistance and low charge along with ultra low package inductance providing significant reduction in switching losses. The reduced losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of processors operating at higher frequencies. The IRF6811STRPbF has been optimized for the control FET socket of synchronous buck operating from 12 volt bus converters. Absolute Maximum Ratings Max. Parameter VGS ID @ TA = 25°C ID @ TA = 70°C ID @ TC = 25°C IDM EAS IAR Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V g Pulsed Drain Current Single Pulse Avalanche Energy Avalanche Current g Typical RDS(on) (mΩ) ID = 19A 10 8 6 TJ = 125°C 4 2 T J = 25°C 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 VGS, Gate -to -Source Voltage (V) Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage Notes:  Click on this section to link to the appropriate technical paper. ‚ Click on this section to link to the DirectFET Website. ƒ Surface mounted on 1 in. square Cu board, steady state. www.irf.com e e f h 12 Units 25 ±16 19 15 74 150 32 15 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) VDS V A mJ A 14.0 ID= 15A VDS= 20V 12.0 10.0 VDS= 13V VDS= 5.0V 8.0 6.0 4.0 2.0 0.0 0 5 10 15 20 25 30 QG Total Gate Charge (nC) Fig 2. Typical Total Gate Charge vs Gate-to-Source Voltage „ TC measured with thermocouple mounted to top (Drain) of part. Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. † Starting TJ = 25°C, L = 0.28mH, RG = 50Ω, IAS = 15A. 1 01/28/11 PDF
Документация на серию IRF6811SPBF 

IRF6811SPbF.pmd

Дата модификации: 28.01.2011

Размер: 253.7 Кб

9 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    15 апреля 2011
    новость

    DirectFET@plus MOSFET от IR: плюс 2% КПД

    С появлением нового семейства DirectFET@plus MOSFET от International Rectifier устанавливаются новые стандарты эффективности современных источников питания, в частности, синхронных понижающих DC–DC преобразователей с входным номинальным... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    IRF630 (ST)