IRF7201TRPBF

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transist
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ IRFTS8342TRPBF (INFIN) TSOP-6 в ленте 3000 шт
 
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package
A+ IRF8714TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ STS10DN3LH5 (ST) SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET транзистор - [SO-8]; Тип: N; Uси: 30 В; Iс(25°C): 10 А; Rси(вкл): 21...28 мОм; @...
A+ STL8NH3LL (ST) DFN-8
 
A+ STL40DN3LLH5 (ST) POWERFLAT в ленте 3000 шт
 
A+ STS9NF3LL (ST) SOIC-8-3.9 8-SO
 
A+ STS9D8NH3LL (ST) SO-8 SOIC8 MOSFET транзистор - [SO-8]; Тип: N; Uси: 30 В; Iс(25°C): 8 А; Rси(вкл): 25 мОм; @Uзатв(...
A+ STS8DNF3LL (ST) SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET транзистор - [SO-8]; Тип: N; Uси: 30 В; Iс(25°C): 8 А; Rси(вкл): 20...24 мОм; @U...
A+ CSD17507Q5A (TI) SON8 2500 шт
 
30V N-Channel High Side NexFET Power MOSFET with 20 Volt Vgs
A+ NTMFS4835NT1G (ONS) SO-8 SOIC8 1 шт
 
A+ IRF8721PBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF8707TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ STS10N3LH5 (ST) SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
A+ IRF7821TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7809AVTRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7809AVPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7807TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 4000 шт MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7470TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7470PBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7413ZTRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ BSC120N03LSGATMA1 (INFIN) PGTDSON8 в ленте 5000 шт
 
A+ BSC080N03MSGATMA1 (INFIN) PGTDSON8 в ленте 5000 шт
 
A+ IRF7828TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт Полевой транзистор.
30V. 13.6A. HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ STS11NF30L (ST) SO-8 SOIC8 2500 шт MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Файлы 1

показать свернуть
PD- 95022 IRF7201PbF l l l l l l l l Generation V Technology Ultra Low On-Resistance N-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Lead-Free Description HEXFET® Power MOSFET A A D S 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D VDSS = 30V RDS(on) = 0.030Ω Top View HEXFET® Fifth Generation power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount application. SO-8 Absolute Maximum Ratings Parameter VDS ID @ TC = 25°C ID @ TC = 70°C IDM PD @TC = 25°C PD @TC = 70°C VGS VGSM EAS dv/dt TJ, TSTG Drain- Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current  Power Dissipation Power Dissipation Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Single Pulse tp<10µs Single Pulse Avalanche Energy‚ Peak Diode Recovery dv/dt ƒ Junction and Storage Temperature Range Max. Units 30 7.3 5.8 58 2.5 1.6 0.02 ± 20 30 70 5.0 -55 to + 150 V A W W/°C V V mJ V/ns °C Thermal Resistance Parameter RθJA www.irf.com Maximum Junction-to-Ambient Typ. Max. Units ––– 50 °C/W 1 9/30/04 PDF
Документация на серию IRF7201 

IRF7201PbF.pmd

Дата модификации: 01.10.2004

Размер: 173.8 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.