IRF7204PBF

MOSFET, P, LOGIC, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:5.3A; Resistance, Rds On:0.06ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-2.5V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:21A; Marking, SMD:F7204; Pins, No. of:8; Power Dissipation:2.5W; Power, Pd:2.5W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds:20V; Voltage, Vds Max:20V
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRF7204TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
A+ ECH8654-TL-H (ONS) SOT26
 
A+ ECH8320-TL-H (ONS) SMD8
 
A+ CPH6347-TL-H (ONS) SOT236 3000 шт
 
A+ NTHS5441T1 (ONS) ChipFET8
 
Power MOSFET 20V 5.3A 60 mOhm Single P-Channel ChipFET
A+ NTMS10P02R2G (ONS) SO-8 SOIC8 в ленте 2500 шт MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
A+ MMSF3P02HDR2G (ONS) SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC Power MOSFET 20V 5.6A 75 mOhm Single P-Channel SO-8
A+ IRLTS2242TRPBF (INFIN) TSOP-6 в ленте 3000 шт
 
-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package
A+ IRF7404TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
A+ IRF7404PBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
A+ IRLMS6802TRPBF (INFIN) SOT236 в ленте 3000 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
A+ NTMS5P02R2 (ONS) SO-8 SOIC-8-3.9 MOSFET транзистор - [SOIC-8-3.9]; Тип: P; Uси: 20 В; Iс(25°C): 5.4 А; Rси(вкл): 33 мОм;... Power MOSFET 20V 5.4A 33 mOhm Single P-Channel SO-8
A+ EMH1307-TL-H (ONS) SMD8
 

Файлы 1

показать свернуть
PD - 95165 IRF7204PbF Adavanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l P-Channel MOSFET l Surface Mount l Available in Tape & Reel l Dynamic dv/dt Rating l Fast Switching l Lead-Free Description HEXFET® Power MOSFET l A D 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D S VDSS = -20V RDS(on) = 0.060Ω ID = -5.3A Top View Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount application. SO-8 Absolute Maximum Ratings Parameter ID @ TA = 25°C ID @ TA = 70°C IDM PD @TC = 25°C VGS dv/dt TJ, TSTG Max. Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current  Power Dissipation Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage Peak Diode Recovery dv/dt ‚ Junction and Storage Temperature Range Units -5.3 -4.2 -21 2.5 0.020 ± 12 -1.7 -55 to + 150 A W W/°C V V/nS °C Thermal Resistance Ratings Parameter RθJA Maximum Junction-to-Ambient „ Min. Typ. ––– ––– Max. 50 Units °C/W 10/6/04 PDF
Документация на серию IRF7204 

IRF7204PbF.pmd

Дата модификации: 07.10.2004

Размер: 243.7 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.