развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
A+ ECH8315-TL-H (ONS) SMD8
A+ ECH8310-TL-H (ONS) SOT26 1 шт
A+ MMSF7P03HDR2G (ONS) SO-8 8-SOIC MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC Power MOSFET 30V 7A 35 mOhm Single P-Channel SO-8
A+ IRF9333PBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт
A+ IRF7726TRPBF (INFIN) MICRO8 4000 шт
HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
A+ IRF7406PBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
A+ IRF7241TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
A+ ECH8667-TL-H (ONS) SMD8 1 шт

Файлы 1

показать свернуть
PD - 95021 IRF7205PbF Adavanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l P-Channel MOSFET l Surface Mount l Available in Tape & Reel l Dynamic dv/dt Rating l Fast Switching l Lead-Free Description HEXFET® Power MOSFET l A D 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D S VDSS = -30V RDS(on) = 0.070Ω ID = -4.6A Top View Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount application. SO-8 Absolute Maximum Ratings Parameter ID @ TA = 25°C ID @ TA = 70°C IDM PD @TC = 25°C VGS dv/dt TJ, TSTG Max. Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current  Power Dissipation Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage Peak Diode Recovery dv/dt ‚ Junction and Storage Temperature Range Units -4.6 -3.7 -15 2.5 0.020 ± 20 -3.0 -55 to + 150 A W W/°C V V/nS °C Thermal Resistance Ratings Parameter RθJA Maximum Junction-to-Ambient „ Min. Typ. ––– ––– Max. 50 Units °C/W 2/18/04 PDF
Документация на серию IRF7205 


Дата модификации: 19.02.2004

Размер: 277.8 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.