N + N MOSFET 20Vds, 12Vgs, 2.5A
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
P= IRF7311TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]; Примечание: Полевой транзистор.
20V. 6.6A.
A+ IRF7530TRPBF (INFIN) MICRO8 в ленте 4000 шт

Файлы 1

показать свернуть
PD - 95176 IRF7301PbF HEXFET® Power MOSFET l l l l l l l l Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel Mosfet Surface Mount Available in Tape & Reel Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Lead-Free S1 1 8 D1 G1 2 7 D1 S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 Description VDSS = 20V RDS(on) = 0.050Ω Top View Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount application. SO-8 Absolute Maximum Ratings Parameter I D @ TA = 25°C ID @ TA = 25°C I D @ TA = 70°C I DM PD @TA = 25°C VGS dv/dt TJ, TSTG Max. 10 Sec. Pulsed Drain Current, VGS @ 4.5V Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V Pulsed Drain Current  Power Dissipation Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage Peak Diode Recovery dv/dt ‚ Junction and Storage Temperature Range Units 5.7 5.2 4.1 21 2.0 0.016 ± 12 5.0 -55 to + 150 A W W/°C V V/ns °C Thermal Resistance Ratings Parameter RθJA Maximum Junction-to-Ambient„ Typ. Max. Units ––– 62.5 °C/W 10/6/04 PDF
Документация на серию IRF7301 


Дата модификации: 07.10.2004

Размер: 237.6 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.