MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transist
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
PD - 95181 IRF7314PbF l l l l l l HEXFET® Power MOSFET Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual P-Channel MOSFET Surface Mount Fully Avalanche Rated Lead-Free S1 1 8 D1 G1 2 7 D1 S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 VDSS = -20V RDS(on) = 0.058Ω Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. SO-8 Absolute Maximum Ratings ( TA = 25°C Unless Otherwise Noted) Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage TA = 25°C TA = 70°C Continuous Drain Current Pulsed Drain Current Continuous Source Current (Diode Conduction) TA = 25°C Maximum Power Dissipation TA = 70°C Single Pulse Avalanche Energy Avalanche Current Repetitive Avalanche Energy Peak Diode Recovery dv/dtƒ Junction and Storage Temperature Range Symbol Maximum V DS V GS -20 ± 12 -5.3 -4.3 -21 -2.5 2.0 1.3 150 -2.9 0.20 -5.0 -55 to + 150 ID IDM IS PD EAS IAR EAR dv/dt TJ, TSTG Units V A W mJ A mJ V/ ns °C Thermal Resistance Ratings Parameter Maximum Junction-to-Ambient Symbol Limit Units RθJA 62.5 °C/W 10/7/04 PDF
Документация на IRF7314TRPBF 


Дата модификации: 08.10.2004

Размер: 195.9 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.