MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N/P Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:6.6A; On Resistance, Rds(on):29mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Package/Case:8-SOIC
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание DUAL N+P-ch MOSFET 30V, 6.6A/5.8A SO-8
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
A+ IRF7319TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
A+ IRF9389TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт 30V N+P-ch MOSFET 6.8/-4.6A 22/51mOhm 6.8/8.1nC SO-8

Файлы 1

показать свернуть
PD - 95296 IRF7317PbF HEXFET® Power MOSFET Generation V Technology Ultra Low On-Resistance l Dual N and P Channel MOSFET l Surface Mount l Fully Avalanche Rated l Lead-Free Description l l S1 N-CHANNEL MOSFET 1 8 D1 G1 2 7 D1 S2 3 6 D2 4 5 D2 G2 P-CHANNEL MOSFET Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. Top View The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. N-Ch P-Ch 20V -20V VDSS RDS(on) 0.029Ω 0.058Ω SO-8 Absolute Maximum Ratings ( TA = 25°C Unless Otherwise Noted) Symbol Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage TA = 25°C TA = 70°C Continuous Drain Current Pulsed Drain Current Continuous Source Current (Diode Conduction) TA = 25°C Maximum Power Dissipation TA = 70°C Single Pulse Avalanche Energy Avalanche Current Repetitive Avalanche Energy Peak Diode Recovery dv/dt ‚ Junction and Storage Temperature Range V DS V GS IDM IS EAS IAR EAR dv/dt TJ, TSTG Maximum P-Channel N-Channel 20 Units -20 ± 12 6.6 5.3 26 2.5 -5.3 -4.3 -21 -2.5 2.0 1.3 100 4.1 A W 150 -2.9 0.20 mJ A mJ V/ ns 5.0 -5.0 -55 to + 150 °C Symbol Limit Units RθJA 62.5 °C/W Thermal Resistance Ratings Parameter Maximum Junction-to-Ambient 5/25/04 PDF
Документация на серию IRF7317PBF 


Дата модификации: 14.08.2004

Размер: 236.1 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.