развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
A+ CSD16409Q3 (TI) DFN-8 TDFN8 в ленте 2500 шт
N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ IRLHS6242TRPBF (INFIN) PQFN8 в ленте 4000 шт
20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 2mm by 2mm package
A+ IRF7456TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Файлы 1

показать свернуть
PD - 95724 IRF7401PbF l l l l l l l l Generation V Technology Ultra Low On-Resistance N-Channel Mosfet Surface Mount Available in Tape & Reel Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Lead-Free HEXFET® Power MOSFET A A D 1 8 S 2 7 S 3 6 4 5 S G VDSS = 20V D D D RDS(on) = 0.022Ω Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount application. SO-8 Absolute Maximum Ratings Parameter ID @ TA = 25°C ID @ TA = 25°C ID @ TA = 70°C IDM PD @TA = 25°C VGS dv/dt TJ, TSTG Max. 10 Sec. Pulsed Drain Current, VGS @ 4.5V Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V Pulsed Drain Current  Power Dissipation Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage Peak Diode Recovery dv/dt ‚ Junction and Storage Temperature Range Units 10 8.7 7.0 35 2.5 0.02 ± 12 5.0 -55 to + 150 A W W/°C V V/ns °C Thermal Resistance Ratings Parameter RθJA Maximum Junction-to-Ambient„ Typ. Max. Units ––– 50 °C/W 8/10/04 PDF
Документация на серию IRF7401 


Дата модификации: 11.08.2004

Размер: 197.4 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.