IRF7413ZTRPBF

Infineon
MOSFET: N, 30 В, Q1: N, 10mΩ / 10V, 13 А
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P+ IRF8714TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF6604 (INFIN)
 
DIRECTFETMQ 1 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel — —
A+ IRFH3702TRPBF (INFIN)
 
QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ SUD50N04-8m8P-4GE3 (VISHAY)
 
TO252 1 шт MOSFET N-CH 40V 14A TO-252 — —
A+ IRFHM830TRPBF (INFIN)
 
QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 21A PQFN — —
A+ NTMFS4835NT1G (ONS)
 
SO-8 SOIC8 1 шт
 
 — —
A+ IRF8721PBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7842TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7828TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт Полевой транзистор. 30V. 13.6A. HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel — —
A+ IRF7821TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7809AVTRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7809AVPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF6613TRPBF (INFIN)
 
DIRECTFETMT 4800 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF8736TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —

Файлы 1

показать свернуть
PD - 95335D IRF7413ZPbF HEXFET® Power MOSFET Applications l Control FET for Notebook Processor Power l Control and Synchronous Rectifier MOSFET for Graphics Cards and POL Converters in Computing, Networking and Telecommunication Systems Benefits l Ultra-Low Gate Impedance l Very Low RDS(on) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 100% Tested for RG l Lead-Free VDSS RDS(on) max ID 30V 10m @VGS = 10V 13A : A A D S 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D SO-8 Top View Absolute Maximum Ratings Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage Parameter 30 V VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 13 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 10 IDM Pulsed Drain Current 100 PD @TA = 25°C Power Dissipation PD @TA = 70°C Power Dissipation TJ Linear Derating Factor Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range c A W 2.5 1.6 W/°C °C 0.02 -55 to + 150 Thermal Resistance Parameter RθJL RθJA Junction-to-Drain Lead Junction-to-Ambient f Typ. Max. Units ––– 20 °C/W ––– 50 Notes  through „ are on page 10 www.irf.com 1 05/08/08 PDF
Документация на серию IRF7413ZPBF 

IRF7413ZPbF.pmd

Дата модификации: 08.05.2008

Размер: 284.2 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    IRF630 (ST)