IRF7413ZTRPBF

MOSFET: N, 30 В, Q1: N, 10mΩ / 10V, 13 А
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMS13N03T1 (WAYON) SOP8L в коробках 4000 шт
 
A+ CJAC20N03 (JSCJ)
 
±
A+ WMS032N04LG2 (WAYON) SOP8L 4000 шт
 
A+ RMW180N03TB (ROHM) SMD8
 
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ RMW150N03TB (ROHM) SMD8
 
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ RS1G260MNTB (ROHM) DFN-8 TDFN8
 
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 40V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ RS1G180MNTB (ROHM) 1 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ RS1G150MNTB (ROHM) DFN-8 TDFN8
 
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.0133ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CJAB20N03 (JSCJ) 88 шт
 
±
A+ WMR13N03T1 (WAYON) DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
A+ STK800 (ST) PolarPak
 
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STS14N3LLH5 (ST) SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STS13N3LLH5 (ST) SOIC-8-3.9 8-SO
 
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STL15DN4F5 (ST) POWERFLAT 3000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.009ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ WMS15N03T1 (WAYON) SOP8L в коробках 4000 шт
 
A+ WMS14DN03T1 (WAYON) SOP8L 4000 шт
 
A+ STS17NF3LL (ST) SO-8 SOIC8
 
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ RMW200N03TB (ROHM) SMD8
 
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.