IRF7413ZTRPBF

Infineon
MOSFET: N, 30 В, Q1: N, 10mΩ / 10V, 13 А
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMS13N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
 — — —
A+ CJAC20N03 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ WMS032N04LG2 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
 — — —
A+ RMW180N03TB (ROHM)
 
SMD8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RMW150N03TB (ROHM)
 
SMD8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RS1G260MNTB (ROHM)
 
DFN-8 TDFN8
 
 Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 40V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RS1G180MNTB (ROHM)
 
— 1 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RS1G150MNTB (ROHM)
 
DFN-8 TDFN8
 
 Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.0133ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ CJAB20N03 (JSCJ)
 
— 88 шт
 
 ± — — — — —
A+ WMR13N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ STK800 (ST)
 
PolarPak
 
 — Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STS14N3LLH5 (ST)
 
SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC — Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STS13N3LLH5 (ST)
 
SOIC-8-3.9 8-SO
 
 Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STL15DN4F5 (ST)
 
POWERFLAT 3000 шт
 
 — Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.009ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET — —
A+ WMS15N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
 — — —
A+ WMS14DN03T1 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
 — — —
A+ STS17NF3LL (ST)
 
SO-8 SOIC8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RMW200N03TB (ROHM)
 
SMD8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —

Файлы 1

показать свернуть
PD - 95335D IRF7413ZPbF HEXFET® Power MOSFET Applications l Control FET for Notebook Processor Power l Control and Synchronous Rectifier MOSFET for Graphics Cards and POL Converters in Computing, Networking and Telecommunication Systems Benefits l Ultra-Low Gate Impedance l Very Low RDS(on) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 100% Tested for RG l Lead-Free VDSS RDS(on) max ID 30V 10m @VGS = 10V 13A : A A D S 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D SO-8 Top View Absolute Maximum Ratings Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage Parameter 30 V VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 13 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 10 IDM Pulsed Drain Current 100 PD @TA = 25°C Power Dissipation PD @TA = 70°C Power Dissipation TJ Linear Derating Factor Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range c A W 2.5 1.6 W/°C °C 0.02 -55 to + 150 Thermal Resistance Parameter RθJL RθJA Junction-to-Drain Lead Junction-to-Ambient f Typ. Max. Units ––– 20 °C/W ––– 50 Notes  through „ are on page 10 www.irf.com 1 05/08/08 PDF
Документация на серию IRF7413ZPBF 

IRF7413ZPbF.pmd

Дата модификации: 08.05.2008

Размер: 284.2 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    IRF630 (ST)