IRF7470PBF

Infineon
MOSFET N, LOGIC SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:10A; Resistance, Rds On:0.013ohm; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:85A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Marking, SMD:IRF7470PBF; Pins, No. of:8; Pitch, Row:6.3mm; Power Dissipation:2.5W; Power, Pd:2.5W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:40V; Width, External:4.05mm
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJS10N04A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 5 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WMS10N04TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ STL15DN4F5 (ST)
 
POWERFLAT 3000 шт
 
 — Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.009ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET — —
A+ RS1G120MNTB (ROHM)
 
HSOP8
 
 Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.0207ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RS1G150MNTB (ROHM)
 
DFN-8 TDFN8
 
 Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.0133ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RS1G180MNTB (ROHM)
 
— 1 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —

Файлы 1

показать свернуть
PD- 95276 IRF7470PbF SMPS MOSFET HEXFET® Power MOSFET Applications l High Frequency DC-DC Converters with Synchronous Rectification l Lead-Free VDSS RDS(on) max ID 40V 13mΩ 10A Benefits l Ultra-Low Gate Impedance l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 1 8 S 2 7 S 3 6 4 5 S G A A D D D D SO-8 Top View Absolute Maximum Ratings Symbol VDS VGS ID @ TA = 25°C ID @ TA = 70°C IDM PD @TA = 25°C PD @TA = 70°C TJ , TSTG Parameter Drain-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current Maximum Power Dissipationƒ Maximum Power Dissipationƒ Linear Derating Factor Junction and Storage Temperature Range Max. Units 40 ± 12 10 8.5 85 2.5 1.6 0.02 -55 to + 150 V V A W W W/°C °C Thermal Resistance Symbol RθJL RθJA Parameter Junction-to-Drain Lead Junction-to-Ambient „ Typ. Max. Units ––– ––– 20 50 °C/W Notes  through „ are on page 8 www.irf.com 1 8/11/04 PDF
Документация на серию IRF7470PBF 

IRF7470PbF.pmd

Дата модификации: 11.08.2004

Размер: 128.3 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    IRF630 (ST)