IRF7470PBF
MOSFET N, LOGIC SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:10A; Resistance, Rds On:0.013ohm; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:85A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Marking, SMD:IRF7470PBF; Pins, No. of:8; Pitch, Row:6.3mm; Power Dissipation:2.5W; Power, Pd:2.5W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:40V; Width, External:4.05mm
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: IRF7470
- Корпус: SO-8 SOIC8
- Норма упаковки: 95 шт. (в линейках)
- снято с производства
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SO-8 SOIC8 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | |
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 6
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | YJS10N04A (YJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 5 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P- | WMS10N04TS (WAYON) | SOP8L | в ленте 4000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | STL15DN4F5 (ST) | POWERFLAT | 3000 шт | — | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.009ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — | ||||||||||
A+ | RS1G120MNTB (ROHM) | HSOP8 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.0207ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||||
A+ | RS1G150MNTB (ROHM) | DFN-8 TDFN8 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.0133ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||||
A+ | RS1G180MNTB (ROHM) | — | 1 шт | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на серию IRF7470PBF
IRF7470PbF.pmd
Дата модификации: 11.08.2004
Размер: 128.3 Кб
8 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.