IRF7739L1TRPBF

MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DirectFET L8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание N-MOSFET, 40V, 46A, DIRECTFET L8
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IRF7739L1TRPbF Applications l RoHS Compliant, Halogen Free ‚ l Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) l Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket l Optimized for Synchronous Rectification l Low Conduction Losses l High Cdv/dt Immunity l Low Profile (<0.7mm) l Dual Sided Cooling Compatible  l Compatible with existing Surface Mount Techniques l Industrial Qualified DirectFET™ Power MOSFET ‚ Typical values (unless otherwise specified) VDSS 40V min Qg SC Vgs(th) 220nC 81nC 2.8V S  G ±20V max 0.70mΩ@ 10V Qgd S D S S S S D S DirectFET™ ISOMETRIC L8 M2 M4 RDS(on) tot S Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline  SB VGS L4 L6 L8 Description The IRF7739L1TRPbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET TM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has a footprint smaller than a D2PAK and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems. The IRF7739L1TRPbF is optimized for high frequency switching and synchronous rectification applications. The reduced total losses in the device coupled with the high level of thermal performance enables high efficiency and low temperatures, which are key for system reliability improvements, and makes this device ideal for high performance power converters. Ordering Information Base part number Standard Pack Package Type IRF7739L1TRPbF Form Tape and Reel DirectFET Large Can Orderable Part Number Quantity 4000 Absolute Maximum Ratings Parameter VDS Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)f Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)f Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)e Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) f Pulsed Drain Current Single Pulse Avalanche Energy Avalanche Current VGS ID @ TC = 25°C ID @ TC = 100°C ID @ TA = 25°C ID @ TC = 25°C IDM EAS IAR g 10 8 T J = 25°C 6 4 T J = 125°C 2 0 Units 40 ±20 270 190 46 375 1070 270 160 V A mJ A VGS = 10V 0.92 0.91 0.90 0.89 0.88 0.87 0.86 0.85 5.0 Notes: Max. 0.93 ID = 160A Typical RDS (on) (mΩ) Typical RDS(on) (mΩ) h g IRF7739L1TRPbF 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5 8.0 VGS, Gate -to -Source Voltage (V) Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage  Click on the hyperlink (to the relevant technical document) for more details. 0 40 80 120 160 200 ID , Drain Current (A) Fig 2. Typical On-Resistance vs. Drain Current ‚ Click on the hyperlink (to the DirectFET website) for more details „ TC measured with thermocouple mounted to top (Drain) of part. Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. ƒ Surface mounted on 1 in. square Cu board, steady state. † Starting TJ = 25°C, L = 0.021mH, RG = 25Ω, IAS = 160A. 1 www.irf.com © 2012 International Rectifier February 13 ,2013 PDF
Документация на серию IRF7739L1PBF 

IRF7739L1TRPbF Product Datasheet

Дата модификации: 08.03.2013

Размер: 272.4 Кб

10 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    19 сентября 2016
    статья

    Тепловой расчет MOSFET при больших импульсных токах нагрузки

    В условиях применения в приложении с большими импульсными токами нагрузки силовые MOSFET с тонкими чипами и низким сопротивлением в проводящем состоянии обеспечивают значительное преимущество, но требуют аккуратного теплового расчета. В статье... ...читать

    20 ноября 2014
    статья

    Транзисторы-2014: Новые серии MOSFET от International Rectifier

    Мировой рынок полевых транзисторов (MOSFET) в 2013 году оценивался в 6 миллиардов долларов, что побуждает практически всех производителей на рынке электронных компонентов стараться откусить свой «кусок пирога». Компания International Rectifier... ...читать

    05 августа 2014
    новость

    Новая серия транзисторов DirectFET с ультранизким сопротивлением

    Компания International Rectifier представила рынку новую серию MOSFET семейства DirectFET® в корпусах LargeCan. Новые транзисторы предназначены для применения в промышленных системах, требующих сверхнизкого сопротивления ключей, включая мощные... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.