IRF7748L1TRPBF

MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFETL6
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DirectFET L6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание N-MOSFET, 60V, 28A, DIRECTFET L6
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ IRF7759L2TRPBF (INFIN) DirectFET L8 4000 шт
 
75V DirectFET 160A 1.8мОм 200нКл DirectFET L8

Файлы 1

показать свернуть
IRF7748L1TRPbF DirectFET™ Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) Applications RoHS Compliant, Halogen Free  Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow)  Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket Optimized for Synchronous Rectification Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Profile (<0.7mm) Dual Sided Cooling Compatible  Compatible with existing Surface Mount Techniques  Industrial Qualified VDSS VGS RDS(on) 60V min ±20V max 1.7m@ 10V Qgd Vgs(th) 40nC 2.9V Qg tot 146nC SC M2 S S S S S D G DirectFET™ ISOMETRIC Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline  SB S D L6 M4 L4 L6 L8 Description The IRF7748L1TRPbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has a footprint smaller than a D2PAK and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems. The IRF7748L1TRPbF is optimized for high frequency switching and synchronous rectification applications. The reduced total losses in the device coupled with the high level of thermal performance enables high efficiency and low temperatures, which are key for system reliability improvements, and makes this device ideal for high performance power converters. Ordering Information Base part number Package Type IRF7748L1TRPbF DirectFET Large Can Standard Pack Form Quantity Tape and Reel 4000 Orderable Part Number IRF7748L1TRPbF Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) Pulsed Drain Current Single Pulse Avalanche Energy  Avalanche Current  8 Units V A mJ A 3.0 ( DS(on) m I D = 89A 6 4 Typical R , Drain-to -Source On Resistance (m) R DS(on) VDS VGS ID @ TC = 25°C ID @ TC = 100°C ID @ TA = 25°C IDM EAS IAR Max. 60 ±20 148 104 28 592 129 89 T J = 125°C 2 T J = 25°C V GS = 6V 2.5 V GS = 7V 2.0 V GS = 10V 1.5 V GS = 12V 1.0 0 0 2 4 6 V GS, 8 10 12 14 16 18 20 Gate -to -Source Voltage (V) 25 50 75 100 125 150 175 200 I D , Drain Current (A) Fig 2. Typical On-Resistance vs. Drain Current Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage Notes  Click on this section to link to the appropriate technical paper.  Click on this section to link to the DirectFET Website.  Surface mounted on 1 in. square Cu board, steady state. 1 www.irf.com © 2012 International Rectifier  TC measured with thermocouple mounted to top (Drain) of part.  Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.  Starting TJ = 25°C, L = 0.033mH, RG = 50, IAS = 89A. February 18, 2013 PDF
Документация на серию IRF7748L1PBF 

IRF7748L1TRPBF Product Datasheet

Дата модификации: 26.02.2013

Размер: 437 Кб

10 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    19 сентября 2016
    статья

    Тепловой расчет MOSFET при больших импульсных токах нагрузки

    В условиях применения в приложении с большими импульсными токами нагрузки силовые MOSFET с тонкими чипами и низким сопротивлением в проводящем состоянии обеспечивают значительное преимущество, но требуют аккуратного теплового расчета. В статье... ...читать

    20 ноября 2014
    статья

    Транзисторы-2014: Новые серии MOSFET от International Rectifier

    Мировой рынок полевых транзисторов (MOSFET) в 2013 году оценивался в 6 миллиардов долларов, что побуждает практически всех производителей на рынке электронных компонентов стараться откусить свой «кусок пирога». Компания International Rectifier... ...читать

    05 августа 2014
    новость

    Новая серия транзисторов DirectFET с ультранизким сопротивлением

    Компания International Rectifier представила рынку новую серию MOSFET семейства DirectFET® в корпусах LargeCan. Новые транзисторы предназначены для применения в промышленных системах, требующих сверхнизкого сопротивления ключей, включая мощные... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.