IRF7759L2TRPBF

MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DirectFET L8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание 75V DirectFET 160A 1.8мОм 200нКл DirectFET L8
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
IRF7759L2PbF DirectFET™ Power MOSFET ‚ RoHS Compliant, Halogen Free  l Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) l Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket l Optimized for Synchronous Rectification l Low Conduction Losses l High Cdv/dt Immunity l Low Profile (<0.7mm) l Dual Sided Cooling Compatible  l Compatible with existing Surface Mount Techniques  l Industrial Qualified l Typical values (unless otherwise specified) SC M2 VGS RDS(on) 75V min ±20V max 1.8mΩ@ 10V tot Qgd Vgs(th) 200nC 62nC 3.0V Qg D G S S S S S S S S D DirectFET™ ISOMETRIC L8 Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline  SB VDSS M4 L4 L6 L8 Description The IRF7759L2TR/TR1PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has a footprint smaller than a D2PAK and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems. The IRF7759L2TR/TR1PbF is optimized for high frequency switching and synchronous rectification applications. The reduced total losses in the device coupled with the high level of thermal performance enables high efficiency and low temperatures, which are key for system reliability improvements, and makes this device ideal for high performance power converters. Orderable part number Package Type IRF7759L2TRPbF IRF7759L2TR1PbF DirectFET2 Large Can DirectFET2 Large Can Standard Pack Form Quantity Tape and Reel 4000 Tape and Reel 1000 Note "TR" suffix "TR1" suffix EOL notice # 264 Absolute Maximum Ratings Max. Parameter VDS g h g 8 T A= 25°C 6 A mJ A VGS = 7.0V 1.85 T J = 125°C 4 VGS = 8.0V VGS = 10V 1.75 2 T J = 25°C 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 V GS, Gate -to -Source Voltage (V) Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage Notes:  Click on this section to link to the appropriate technical paper. ‚ Click on this section to link to the DirectFET Website. ƒ Surface mounted on 1 in. square Cu board, steady state. 1 V 1.95 I D = 96A ( Typical R DS(on) mΩ) RDS(on) , Drain-to -Source On Resistance (m Ω) VGS ID @ TC = 25°C ID @ TC = 100°C ID @ TA = 25°C ID @ TC = 25°C IDM EAS IAR Units 75 ±20 160 113 26 375 640 257 96 Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)f Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)f Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)e Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) f Pulsed Drain Current Single Pulse Avalanche Energy Avalanche Current www.irf.com © 2014 International Rectifier VGS = 15V 1.65 15 30 45 60 75 90 105 ID, Drain Current (A) Fig 2. Typical On-Resistance vs. Drain Current „ TC measured with thermocouple mounted to top (Drain) of part. Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. † Starting TJ = 25°C, L = 0.056mH, RG = 25Ω, IAS = 96A. Submit Datasheet Feedback February 24, 2014 PDF
Документация на серию IRF7759L2PBF 

IRF7759L2PbF Product Datasheet

Дата модификации: 25.02.2014

Размер: 269.2 Кб

11 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    20 ноября 2014
    статья

    Транзисторы-2014: Новые серии MOSFET от International Rectifier

    Мировой рынок полевых транзисторов (MOSFET) в 2013 году оценивался в 6 миллиардов долларов, что побуждает практически всех производителей на рынке электронных компонентов стараться откусить свой «кусок пирога». Компания International Rectifier... ...читать

    05 августа 2014
    новость

    Новая серия транзисторов DirectFET с ультранизким сопротивлением

    Компания International Rectifier представила рынку новую серию MOSFET семейства DirectFET® в корпусах LargeCan. Новые транзисторы предназначены для применения в промышленных системах, требующих сверхнизкого сопротивления ключей, включая мощные... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.