IRF7809AVPBF
MOSFET, N, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:14.5A; Resistance, Rds On:0.0085ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:100A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Marking, SMD:F7809; Pin Configuration:b; Pin Format:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D; 7 D; 8 D; Pins, No. of:8; Pitch, Row:6.3mm; Power Dissipation:2.5W; Power, Pd:2.5W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:30V; Width, External:4.05mm
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: IRF7809AV
- Корпус: SO-8 SOIC8
- Норма упаковки: 95 шт. (в линейках)
- снято с производства
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SO-8 SOIC8 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | |
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 7
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | IRF7809AVTRPBF (INFIN) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт |
| HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | — | ||||||||||
A+ | SUD50N04-8m8P-4GE3 (VISHAY) | TO252 | 1 шт |
| — | — | ||||||||||
A+ | NTMFS4835NT1G (ONS) | SO-8 SOIC8 | 1 шт | — | — | |||||||||||
A+ | IRFHM830TRPBF (INFIN) | QFN-8 | в ленте 4000 шт |
| — | — | ||||||||||
A+ | IRF8736TRPBF (INFIN) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт |
| HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | — | ||||||||||
A+ | IRF7842TRPBF (INFIN) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт |
| HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | — | ||||||||||
A+ | IRF6613TRPBF (INFIN) | DIRECTFETMT | 4800 шт | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.