IRF7809AVPBF

Infineon
MOSFET, N, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:14.5A; Resistance, Rds On:0.0085ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:100A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Marking, SMD:F7809; Pin Configuration:b; Pin Format:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D; 7 D; 8 D; Pins, No. of:8; Pitch, Row:6.3mm; Power Dissipation:2.5W; Power, Pd:2.5W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:30V; Width, External:4.05mm
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ STS14N3LLH5 (ST)
 
SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC — Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ WMS13N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
 — — —
A+ WMS15N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
 — — —
A+ STL15DN4F5 (ST)
 
POWERFLAT 3000 шт
 
 — Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.009ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET — —
A+ STS13N3LLH5 (ST)
 
SOIC-8-3.9 8-SO
 
 Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ WMS032N04LG2 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
 — — —
A+ STS17NF3LL (ST)
 
SO-8 SOIC8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STK800 (ST)
 
PolarPak
 
 — Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RMW180N03TB (ROHM)
 
SMD8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RMW200N03TB (ROHM)
 
SMD8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RS1G180MNTB (ROHM)
 
— 1 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RS1G260MNTB (ROHM)
 
DFN-8 TDFN8
 
 Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 40V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —

Файлы 1

показать свернуть
PD - 95212A IRF7809AVPbF • • • • • N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Minimizes Parallel MOSFETs for high current applications • 100% Tested for Rg • Lead-Free Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessors. The IRF7809AV has been optimized for all parameters that are critical in synchronous buck converters including RDS(on), gate charge and Cdv/dt-induced turn-on immunity. The IRF7809AV offers particulary low RDS(on) and high Cdv/dt immunity for synchronous FET applications. The package is designed for vapor phase, infra-red, convection, or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 2W is possible in a typical PCB mount application. A A D S 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D Top View SO-8 DEVICE CHARACTERISTICS IRF7809AV RDS(on) 7.0mΩ QG 41nC Qsw 14nC Qoss 30nC Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain or Source TA = 25°C Current (VGS ≥ 4.5V) TL = 90°C Pulsed Drain Current Power Dissipation Symbol IRF7809A V VDS 30 VGS ±12 ID 13.3 14.6 IDM TA = 25°C PD TL = 90°C Units V A 100 2.5 W 3.0 TJ, TSTG –55 to 150 °C Continuous Source Current (Body Diode) IS 2.5 A Pulsed Source Current ISM 50 Parameter Maximum Junction-to-Ambientƒ RθJA Max. 50 Units °C/W Maximum Junction-to-Lead RθJL 20 °C/W Junction & Storage Temperature Range Thermal Resistance 08/23/05 PDF
Документация на IRF7809AVPBF 

IRF7809AVPbF.pmd

Дата модификации: 29.04.2021

Размер: 602.5 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    IRF630 (ST)