развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
A+ SUD50N04-8m8P-4GE3 (VISHAY) TO252 1 шт MOSFET N-CH 40V 14A TO-252
A+ IRF7809AVPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ NTMFS4835NT1G (ONS) SO-8 SOIC8 1 шт
A+ IRFHM830TRPBF (INFIN) QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
A+ IRF8736TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7842TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Файлы 1

показать свернуть
PD - 95212A IRF7809AVPbF • • • • • N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Minimizes Parallel MOSFETs for high current applications • 100% Tested for Rg • Lead-Free Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessors. The IRF7809AV has been optimized for all parameters that are critical in synchronous buck converters including RDS(on), gate charge and Cdv/dt-induced turn-on immunity. The IRF7809AV offers particulary low RDS(on) and high Cdv/dt immunity for synchronous FET applications. The package is designed for vapor phase, infra-red, convection, or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 2W is possible in a typical PCB mount application. A A D S 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D Top View SO-8 DEVICE CHARACTERISTICS IRF7809AV RDS(on) 7.0mΩ QG 41nC Qsw 14nC Qoss 30nC Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain or Source TA = 25°C Current (VGS ≥ 4.5V) TL = 90°C Pulsed Drain Current Power Dissipation Symbol IRF7809A V VDS 30 VGS ±12 ID 13.3 14.6 IDM TA = 25°C PD TL = 90°C Units V A 100 2.5 W 3.0 TJ, TSTG –55 to 150 °C Continuous Source Current (Body Diode) IS 2.5 A Pulsed Source Current ISM 50 Parameter Maximum Junction-to-Ambientƒ RθJA Max. 50 Units °C/W Maximum Junction-to-Lead RθJL 20 °C/W Junction & Storage Temperature Range Thermal Resistance 08/23/05 PDF
Документация на серию IRF7809AVPBF 


Дата модификации: 23.08.2005

Размер: 593.4 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.