IRF7821PBF

MOSFET, N, LOGIC, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:13.6A; Resistance, Rds On:0.0091ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:100A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Marking, SMD:IRF7821PBF; Pins, No. of:8; Pitch, Row:6.3mm; Power, Pd:2.5W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Voltage, Vds Max:30V; Width, External:4.05mm
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 28

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRF7821TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
P- IRF7821 (INFIN) SO-8 1 шт Полевой транзистор.
30V. 13.6A. HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
P- BSO203SPHXUMA1 (INFIN) SO-8 SOIC8 2500 шт MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO
A+ STS14N3LLH5 (ST) SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CSD17552Q5A (TI) SON8 2500 шт
 
30-V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs
A+ CSD17555Q5A (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
30V N-ch NexFET Power MOSFET, CSD17555Q5A
A+ STS13N3LLH5 (ST) SOIC-8-3.9 8-SO
 
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ SI4122DY-T1-GE3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0192A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STK800 (ST) PolarPak
 
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STL50NH3LL (ST) PowerFlat (6x5)
 
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ SUD50N04-8m8P-4GE3 (VISHAY) TO252 1 шт MOSFET N-CH 40V 14A TO-252 Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 40V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ SI4124DY-T1-GE3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0136A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ WMR13N03T1 (WAYON) DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
A+ CSD17510Q5A (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
30V N-Channel Low Side NexFET Power MOSFET with 20 Volt Vgs
A+ IRF8714TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ NTMFS4835NT1G (ONS) SO-8 SOIC8 1 шт
 
A+ IRFH3702TRPBF (INFIN) QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ CSD17505Q5A (TI) DFN-8 TDFN8 в ленте 2500 шт
 
30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFET with 20 Volt Vgs
A+ IRF7828TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт Полевой транзистор.
30V. 13.6A. HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7809AVTRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7809AVPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7413ZTRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF6613TRPBF (INFIN) DIRECTFETMT 4800 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF6607TR1 (INFIN) DIRECTFETMT в ленте 1000 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF6604 (INFIN) DIRECTFETMQ 1 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ WMS13N03T1 (WAYON) SOP8L в коробках 4000 шт
 
A+ IRF8721PBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ SI4160DY-T1-GE3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 25.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.