IRF7821TRPBF

Infineon
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ SUD50N04-8m8P-4GE3 (VISHAY)
 
TO252 1 шт MOSFET N-CH 40V 14A TO-252 — —
A+ NTMFS4835NT1G (ONS)
 
SO-8 SOIC8 1 шт
 
 — —
A+ IRF6607TR1 (INFIN)
 
DIRECTFETMT в ленте 1000 шт
 
 — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRFHM830TRPBF (INFIN)
 
QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 21A PQFN — —
A+ IRF8736TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF6604 (INFIN)
 
DIRECTFETMQ 1 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel — —
A+ IRFH3702TRPBF (INFIN)
 
QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF8721PBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF8714TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7842TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7828TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт Полевой транзистор. 30V. 13.6A. HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel — —
A+ IRF7809AVTRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7809AVPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7413ZTRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF6613TRPBF (INFIN)
 
DIRECTFETMT 4800 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —

Файлы 1

показать свернуть
PD - 95213A IRF7821PbF HEXFET® Power MOSFET Applications l High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems. l Lead-Free Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current VDSS RDS(on) max Qg(typ.) 30V 9.1mW@VGS= 10V 9.3nC A A D S 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D SO-8 Top View Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units 30 V VDS Drain-to-Source Voltage VGS Gate-to-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V 13.6 IDM Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current 100 PD @TA = 25°C Power Dissipation 2.5 PD @TA = 70°C Power Dissipation TJ Linear Derating Factor Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range ID @ TA = 25°C ID @ TA = 70°C f f ± 20 A 11 c W 1.6 0.02 -55 to + 155 W/°C °C Thermal Resistance Parameter RθJL RθJA g fg Junction-to-Ambient Junction-to-Drain Lead Notes  through www.irf.com Typ. Max. Units ––– 20 °C/W ––– 50 are on page 10 1 05/23/07 PDF
Документация на серию IRF7821PBF 

IRF7821PbF.pmd

Дата модификации: 23.05.2007

Размер: 285.8 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16406Q3 (TI)