IRF7828TRPBF

MOSFET: N, 30 В, Q1: N, 12.5mΩ / 4.5V, 13.6 А
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRF8714TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ NTMFS4835NT1G (ONS) SO-8 SOIC8 1 шт
 
A+ IRF6604 (INFIN) DIRECTFETMQ 1 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRFHM830TRPBF (INFIN) QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
A+ IRF8736TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ SUD50N04-8m8P-4GE3 (VISHAY) TO252 1 шт MOSFET N-CH 40V 14A TO-252
A+ IRFH3702TRPBF (INFIN) QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF8721PBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7842TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7821TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7809AVTRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7809AVPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7413ZTRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF6613TRPBF (INFIN) DIRECTFETMT 4800 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF6607TR1 (INFIN) DIRECTFETMT в ленте 1000 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Файлы 1

показать свернуть
PD-95214A IRF7828PbF HEXFET® Power MOSFET for DC-DC Converters • • • • • N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Lead-Free Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessors. The IRF7828 has been optimized for all parameters that are critical in synchronous buck converters including RDS(on), gate charge and Cdv/dt-induced turn-on immunity. The IRF7828 offers particulary low RDS(on) and high Cdv/dt immunity for synchronous FET applications. The package is designed for vapor phase, infra-red, convection, or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 3W is possible in a typical PCB mount application. SO-8 A D S 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D T o p V ie w DEVICE CHARACTERISTICS IRF7828PbF RDS(on) 9.5mΩ QG 9.2nC Qsw 3.7nC Qoss 6.1nC Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Drain-Source Voltage VDS Gate-Source Voltage Continuous Drain or Source TA = 25°C Current (VGS ≥ 4.5V) TL = 70°C Pulsed Drain Current Power Dissipation TA = 25°C IRF7828PbF 30 VGS ±20 ID 13.6 IDM 100 PD 2.5 11 TL = 70°C Units V A W 1.6 TJ, TSTG –55 to 150 °C Continuous Source Current (Body Diode) IS 3.1 A Pulsed Source Current ISM 100 Junction & Storage Temperature Range Thermal Resistance Parameter Maximum Junction-to-Ambientƒ R θJA Max. 50 Units °C/W Maximum Junction-to-Lead R θJL 20 °C/W 04/05/07 PDF
Документация на IRF7828PBF 

IRF7828PbF.pmd

Дата модификации: 06.04.2007

Размер: 580.6 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.