IRF7828TRPBF

Infineon
MOSFET: N, 30 В, Q1: N, 12.5mΩ / 4.5V, 13.6 А
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMR13N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ STK800 (ST)
 
PolarPak
 
 — Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RS1G150MNTB (ROHM)
 
DFN-8 TDFN8
 
 Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.0133ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RMW200N03TB (ROHM)
 
SMD8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RMW180N03TB (ROHM)
 
SMD8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RMW150N03TB (ROHM)
 
SMD8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ CJAC20N03 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAB20N03 (JSCJ)
 
— 88 шт
 
 ± — — — — —
A+ STS13N3LLH5 (ST)
 
SOIC-8-3.9 8-SO
 
 Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RS1G180MNTB (ROHM)
 
— 1 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STS17NF3LL (ST)
 
SO-8 SOIC8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STL50NH3LL (ST)
 
PowerFlat (6x5)
 
 — Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STL15DN4F5 (ST)
 
POWERFLAT 3000 шт
 
 — Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.009ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET — —
A+ WMS15N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
 — — —
A+ WMS14DN03T1 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
 — — —
A+ WMS13N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
 — — —
A+ WMS032N04LG2 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
 — — —
A+ STS14N3LLH5 (ST)
 
SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC — Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RS1G260MNTB (ROHM)
 
DFN-8 TDFN8
 
 Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 40V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —

Файлы 1

показать свернуть
PD-95214A IRF7828PbF HEXFET® Power MOSFET for DC-DC Converters • • • • • N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Lead-Free Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessors. The IRF7828 has been optimized for all parameters that are critical in synchronous buck converters including RDS(on), gate charge and Cdv/dt-induced turn-on immunity. The IRF7828 offers particulary low RDS(on) and high Cdv/dt immunity for synchronous FET applications. The package is designed for vapor phase, infra-red, convection, or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 3W is possible in a typical PCB mount application. SO-8 A D S 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D T o p V ie w DEVICE CHARACTERISTICS IRF7828PbF RDS(on) 9.5mΩ QG 9.2nC Qsw 3.7nC Qoss 6.1nC Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Drain-Source Voltage VDS Gate-Source Voltage Continuous Drain or Source TA = 25°C Current (VGS ≥ 4.5V) TL = 70°C Pulsed Drain Current Power Dissipation TA = 25°C IRF7828PbF 30 VGS ±20 ID 13.6 IDM 100 PD 2.5 11 TL = 70°C Units V A W 1.6 TJ, TSTG –55 to 150 °C Continuous Source Current (Body Diode) IS 3.1 A Pulsed Source Current ISM 100 Junction & Storage Temperature Range Thermal Resistance Parameter Maximum Junction-to-Ambientƒ R θJA Max. 50 Units °C/W Maximum Junction-to-Lead R θJL 20 °C/W 04/05/07 PDF
Документация на IRF7828PBF 

IRF7828PbF.pmd

Дата модификации: 06.04.2007

Размер: 580.6 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    IRF630 (ST)