IRF7832TRPBF

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transist
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IRF7832 (INFIN) SO-8 в линейках 95 шт MOSFET транзистор - [SOIC-8-3.9]; Тип: N; Uси: 30 В; Rси(вкл): 4...4.8 мОм; @Uзатв(ном)... HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ SISA04DN-T1-GE3 (VISHAY) POWERPAK12128 1 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.00215ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ SIR466DP-T1-GE3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 1 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ SIRA04DP-T1-GE3 (VISHAY) POWERPAKSO8 1 шт
 
A+ SIRA12DP-T1-GE3 (VISHAY) POWERPAKSO8
 
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ SI7336ADP-T1-GE3 (VISHAY) POWERPAKSO8 1 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ SISA10DN-T1-GE3 (VISHAY) POWERPAK12128
 
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ SISA12ADN-T1-GE3 (VISHAY) POWERPAK12128
 
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ SI7336ADP-T1-E3 (VISHAY) POWERPAKSO8 30 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ SI4842BDY-T1-GE3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ IRF6613TRPBF (INFIN) DIRECTFETMT 4800 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF6607TR1 (INFIN) DIRECTFETMT в ленте 1000 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ SI4164DY-T1-GE3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
A+ SI4842BDY-T1-E3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ SI4634DY-T1-GE3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 24.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
A+ SIR460DP-T1-GE3 (VISHAY) POWERPAKSO8 1 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 24.3A I(D), 30V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ SI4166DY-T1-GE3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 3 шт MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 30.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
A+ SI4160DY-T1-GE3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 25.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
A+ SI4122DY-T1-GE3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0192A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CSD17555Q5A (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
30V N-ch NexFET Power MOSFET, CSD17555Q5A
A+ CSD17505Q5A (TI) DFN-8 TDFN8 в ленте 2500 шт
 
30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFET with 20 Volt Vgs
A+ CSD17312Q5 (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ CSD17311Q5 (TI) DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ SI4456DY-T1-E3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC N CHANNEL MOSFET, 40V, 33A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):4.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.8V ;RoHS Compliant: Yes
A+ IRFH5300TRPBF (INFIN) PQFN8 в ленте 4000 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ SI7880ADP-T1-E3 (VISHAY) POWERPAKSO8
 
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.