IRF7832TRPBF

Infineon
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transist
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IRF7832 (INFIN)
 
SO-8 в линейках 95 шт MOSFET транзистор - [SOIC-8-3.9]; Тип: N; Uси: 30 В; Rси(вкл): 4...4.8 мОм; @Uзатв(ном)... — — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel — —
A+ SISA04DN-T1-GE3 (VISHAY)
 
POWERPAK12128 1 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.00215ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ SIR466DP-T1-GE3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 1 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ SIRA04DP-T1-GE3 (VISHAY)
 
POWERPAKSO8 1 шт
 
 —
A+ SIRA12DP-T1-GE3 (VISHAY)
 
POWERPAKSO8
 
 Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ SI7336ADP-T1-GE3 (VISHAY)
 
POWERPAKSO8 1 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ SISA10DN-T1-GE3 (VISHAY)
 
POWERPAK12128
 
 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ SISA12ADN-T1-GE3 (VISHAY)
 
POWERPAK12128
 
 Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ SI7336ADP-T1-E3 (VISHAY)
 
POWERPAKSO8 30 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ SI4842BDY-T1-GE3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ IRF6613TRPBF (INFIN)
 
DIRECTFETMT 4800 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF6607TR1 (INFIN)
 
DIRECTFETMT в ленте 1000 шт
 
 — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ SI4164DY-T1-GE3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA —
A+ SI4842BDY-T1-E3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ SI4634DY-T1-GE3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC — Small Signal Field-Effect Transistor, 24.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA —
A+ SIR460DP-T1-GE3 (VISHAY)
 
POWERPAKSO8 1 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 24.3A I(D), 30V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ SI4166DY-T1-GE3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 3 шт MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 30.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA —
A+ SI4160DY-T1-GE3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 25.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA —
A+ SI4122DY-T1-GE3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0192A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ CSD17555Q5A (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 30V N-ch NexFET Power MOSFET, CSD17555Q5A —
A+ CSD17505Q5A (TI)
 
DFN-8 TDFN8 в ленте 2500 шт
 
 30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFET with 20 Volt Vgs —
A+ CSD17312Q5 (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET —
A+ CSD17311Q5 (TI)
 
DFN-8 TDFN8 2500 шт
 
 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET —
A+ SI4456DY-T1-E3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC N CHANNEL MOSFET, 40V, 33A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):4.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.8V ;RoHS Compliant: Yes —
A+ IRFH5300TRPBF (INFIN)
 
PQFN8 в ленте 4000 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ SI7880ADP-T1-E3 (VISHAY)
 
POWERPAKSO8
 
 Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —

Файлы 1

показать свернуть
PD - 95016A IRF7832PbF HEXFET® Power MOSFET Applications l Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems l Lead-Free VDSS Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 20V VGS Max. Gate Rating l 100% tested for Rg RDS(on) max 4.0m:@VGS = 10V 30V Qg 34nC A A D S 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D SO-8 Top View Absolute Maximum Ratings Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage Parameter 30 V VGS Gate-to-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V ± 20 ID @ TA = 25°C 20 IDM Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current 160 PD @TA = 25°C Power Dissipation 2.5 PD @TA = 70°C Power Dissipation TJ Linear Derating Factor Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range ID @ TA = 70°C 16 c A W 1.6 W/°C °C 0.02 -55 to + 155 Thermal Resistance Parameter RθJL RθJA Junction-to-Drain Lead Junction-to-Ambient f Typ. Max. Units ––– 20 °C/W ––– 50 Notes  through „ are on page 10 www.irf.com 1 06/30/05 PDF
Документация на серию IRF7832PBF 

IRF7832PbF.pmd

Дата модификации: 01.07.2005

Размер: 262.9 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    IRF630 (ST)