IRF8707TRPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ SUD50N04-8m8P-4GE3 (VISHAY) TO252 1 шт MOSFET N-CH 40V 14A TO-252
A+ IRFHM830TRPBF (INFIN) QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
A+ IRF6604 (INFIN) DIRECTFETMQ 1 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ NTMFS4835NT1G (ONS) SO-8 SOIC8 1 шт
 
A+ IRFH3707TRPBF (INFIN) PQFN8 4000 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF8736TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRL6342TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
A+ IRFH3702TRPBF (INFIN) QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF8721PBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF8714TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7842TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7828TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт Полевой транзистор.
30V. 13.6A. HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7821TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7809AVTRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7809AVPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7413ZTRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Файлы 1

показать свернуть
PD - 96118A IRF8707PbF HEXFET® Power MOSFET Applications Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Power l Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems l VDSS 30V Benefits l l l l l l l Very Low Gate Charge Very Low RDS(on) at 4.5V VGS Ultra-Low Gate Impedance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 20V VGS Max. Gate Rating 100% tested for Rg Lead-Free RDS(on) max Qg 11.9m:@VGS = 10V 6.2nC A A D S 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D SO-8 Top View Description The IRF8707PbF incorporates the latest HEXFET Power MOSFET Silicon Technology into the industry standard SO-8 package. The IRF8707PbF has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck operation including Rds(on) and gate charge to reduce both conduction and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of processors for notebook and Netcom applications. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. VDS Drain-to-Source Voltage 30 VGS Gate-to-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V ± 20 9.1 IDM Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current ID @ TA = 25°C ID @ TA = 70°C Units V 11 c A 88 PD @TA = 25°C Power Dissipation 2.5 PD @TA = 70°C Power Dissipation 1.6 TJ Linear Derating Factor Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range W 0.02 -55 to + 150 W/°C °C Thermal Resistance Parameter RθJL RθJA Notes  through www.irf.com g Junction-to-Ambient fg Junction-to-Drain Lead Typ. Max. ––– 20 ––– 50 Units °C/W are on page 9 1 10/24/07 PDF
Документация на серию IRF8707PBF 

IRF8707PbF.pmd

Дата модификации: 24.10.2007

Размер: 248.9 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.