IRF8714TRPBF

Infineon
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMS13N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
 — — —
A+ STL15DN4F5 (ST)
 
POWERFLAT 3000 шт
 
 — Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.009ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET — —
A+ RS1G150MNTB (ROHM)
 
DFN-8 TDFN8
 
 Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.0133ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RMW200N03TB (ROHM)
 
SMD8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RMW180N03TB (ROHM)
 
SMD8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RMW150N03TB (ROHM)
 
SMD8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ CJAC20N03 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAB20N03 (JSCJ)
 
— 88 шт
 
 ± — — — — —
A+ STS17NF3LL (ST)
 
SO-8 SOIC8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STS14N3LLH5 (ST)
 
SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC — Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STS13N3LLH5 (ST)
 
SOIC-8-3.9 8-SO
 
 Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ WMS032N04LG2 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
 — — —
A+ IRFH3702TRPBF (INFIN)
 
QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ STK800 (ST)
 
PolarPak
 
 — Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STL50NH3LL (ST)
 
PowerFlat (6x5)
 
 — Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ IRF7842PBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7836PBF (INFIN)
 
SO-8 в линейках 95 шт MOSFET транзистор - [SOIC-8-3.9]; Тип: N; Uси: 30 В; Iс(25°C): 17 А; Rси(вкл): 4.5...7.... — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel — —
A+ IRF6613TRPBF (INFIN)
 
DIRECTFETMT 4800 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF6607TR1 (INFIN)
 
DIRECTFETMT в ленте 1000 шт
 
 — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF6604 (INFIN)
 
DIRECTFETMQ 1 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel — —
A+ SUD50N04-8m8P-4GE3 (VISHAY)
 
TO252 1 шт MOSFET N-CH 40V 14A TO-252 Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 40V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 —
A+ WMS15N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
 — — —
A+ WMS14DN03T1 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
 — — —
A+ NTMFS4835NT1G (ONS)
 
SO-8 SOIC8 1 шт
 
 — —
A+ RS1G180MNTB (ROHM)
 
— 1 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —

Файлы 1

показать свернуть
PD - 96116 IRF8714PbF Applications l Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Power l Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems HEXFET® Power MOSFET VDSS Benefits l Very Low Gate Charge l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 20V VGS Max. Gate Rating l 100% tested for Rg l Lead-Free RDS(on) max Qg 8.7m:@VGS = 10V 8.1nC 30V A A D S 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D SO-8 Top View Description The IRF8714PbF incorporates the latest HEXFET Power MOSFET Silicon Technology into the industry standard SO-8 package. The IRF8714PbF has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck operation including Rds(on) and gate charge to reduce both conduction and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of processors for Notebook and Netcom applications. Absolute Maximum Ratings Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage Parameter 30 V VGS Gate-to-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V ± 20 ID @ TA = 25°C 14 IDM Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current 110 ID @ TA = 70°C 11 c PD @TA = 25°C Power Dissipation 2.5 PD @TA = 70°C Power Dissipation 1.6 TJ Linear Derating Factor Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range A W W/°C °C 0.02 -55 to + 150 Thermal Resistance Parameter RθJL RθJA g Junction-to-Ambient fg Junction-to-Drain Lead Notes  through www.irf.com Typ. Max. Units ––– 20 °C/W ––– 50 are on page 9 1 08/01/06 PDF
Документация на серию IRF8714PBF 

IRF8714PbF.pmd

Дата модификации: 02.08.2007

Размер: 250.8 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    IRF630 (ST)