IRF8721PBF

Infineon
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJAB20N03 (JSCJ)
 
— 88 шт
 
 ± — — — — —
A+ WMS13N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
 — — —
A+ RMW180N03TB (ROHM)
 
SMD8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RMW150N03TB (ROHM)
 
SMD8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RS1G260MNTB (ROHM)
 
DFN-8 TDFN8
 
 Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 40V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RS1G180MNTB (ROHM)
 
— 1 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RS1G150MNTB (ROHM)
 
DFN-8 TDFN8
 
 Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.0133ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ WMS032N04LG2 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
 — — —
A+ STS14N3LLH5 (ST)
 
SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC — Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STK800 (ST)
 
PolarPak
 
 — Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ CJAC20N03 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ STS13N3LLH5 (ST)
 
SOIC-8-3.9 8-SO
 
 Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STL50NH3LL (ST)
 
PowerFlat (6x5)
 
 — Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STL15DN4F5 (ST)
 
POWERFLAT 3000 шт
 
 — Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.009ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET — —
A+ WMS15N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
 — — —
A+ WMS14DN03T1 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
 — — —
A+ STS17NF3LL (ST)
 
SO-8 SOIC8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ RMW200N03TB (ROHM)
 
SMD8
 
 — Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —

Файлы 1

показать свернуть
PD - 97119 IRF8721PbF Applications l Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Power l Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems Benefits l Very Low Gate Charge l Low RDS(on) at 4.5V VGS l Low Gate Impedance l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 20V VGS Max. Gate Rating l Lead-Free Description HEXFET® Power MOSFET VDSS RDS(on) max Qg 30V 8.5m:@VGS = 10V 8.3nC A A D S 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D SO-8 Top View The IRF8721PbF incorporates the latest HEXFET Power MOSFET Silicon Technology into the industry standard SO-8 package The IRF8721PbF has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck operation including Rds(on) and gate charge to reduce both conduction and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of processors for Notebook and Netcom applications. Absolute Maximum Ratings Parameter VDS VGS ID @ TA = 25°C Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V Max. Units 30 ± 20 V 14 IDM Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current 110 PD @TA = 25°C Power Dissipation 2.5 PD @TA = 70°C Power Dissipation TJ Linear Derating Factor Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range ID @ TA = 70°C 11 c A W 1.6 0.02 -55 to + 150 W/°C °C Thermal Resistance Parameter RθJL RθJA g Junction-to-Ambient fg Junction-to-Drain Lead Notes  through www.irf.com Typ. Max. Units ––– 20 °C/W ––– 50 are on page 9 1 07/30/07 PDF
Документация на серию IRF8721PBF 

IRF8721PbF.pmd

Дата модификации: 31.07.2007

Размер: 229.4 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    IRF630 (ST)