IRFH3702TRPBF

Infineon
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус QFN-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ IRF6607TR1 (INFIN)
 
DIRECTFETMT в ленте 1000 шт
 
 — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7832TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF6613TRPBF (INFIN)
 
DIRECTFETMT 4800 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRFHM830TRPBF (INFIN)
 
QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 21A PQFN Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —

Файлы 1

показать свернуть
PD - 97368A IRFH3702PbF HEXFET® Power MOSFET Applications l l l Synchronous Buck Converter for Computer Processor Power Isolated DC to DC Converters for Network and Telecom Buck Converters for Set-Top Boxes VDSS 30V RDS(on) max Qg 7.1mΩ@VGS = 10V 9.6nC Benefits l l l l l l l Low RDS(ON) Very Low Gate Charge Low Junction to PCB Thermal Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 100% Tested for RG Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) RoHS compliant (Halogen Free) S S S D D G D D 3mm x 3mm PQFN Absolute Maximum Ratings Parameter Max. VDS Drain-to-Source Voltage 30 VGS ± 20 ID @ TA = 25°C Gate-to-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 12 ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 42 ID @ TC = 25°C IDM Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) 25 120 PD @TA = 25°C Power Dissipation 2.8 PD @TA = 70°C Power Dissipation 1.8 TJ Linear Derating Factor Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range Pulsed Drain Current Units V 16 c A W 0.02 -55 to + 150 W/°C °C Thermal Resistance f RθJC Junction-to-Case RθJA Junction-to-Ambient RθJA Parameter gh Junction-to-Ambient (t<10s) h Typ. Max. ––– 6.0 ––– 45 ––– 44 Units °C/W ORDERING INFORMATION: See detailed ordering and shipping information on the last page of this data sheet. Notes  through † are on page 10 www.irf.com 1 09/21/10 PDF
Документация на IRFH3702TRPBF 

IRFH3702PbF Product Data Sheet

Дата модификации: 29.04.2021

Размер: 284.3 Кб

11 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16406Q3 (TI)