IRFH3702TRPBF

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус QFN-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ IRF6607TR1 (INFIN) DIRECTFETMT в ленте 1000 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7832TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF6613TRPBF (INFIN) DIRECTFETMT 4800 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRFHM830TRPBF (INFIN) QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 21A PQFN Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Файлы 1

показать свернуть
Документация на IRFH3702TRPBF 

IRFH3702PbF Product Data Sheet

Дата модификации: 29.04.2021

Размер: 284.3 Кб

11 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.