IRFH4201TRPBF

Infineon
FastIRFET 25V 100A@25C 0.7/0.95mOhm Qg=46nC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PQFN8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 25V, 0.00125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
IRFH4201PbF HEXFET® Power MOSFET VDSS RDS(on) max (@ VGS = 10V) (@ VGS = 4.5V) 25 V 0.95 m 1.25 Qg (typical) 46.0 nC ID (@TC (Bottom) = 25°C) 100 A PQFN 5X6 mm Applications  Synchronous Rectifier MOSFET for Sync Buck Converters  Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters  Active ORing and Hot Swap  Battery Operated DC Motor Inverters Features Low RDSon (<0.95 m) Low Thermal Resistance to PCB (<0.8°C/W) Low Profile (<0.9 mm) Industry-Standard Pinout Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant, Halogen-Free MSL1, Industrial Qualification Base part number Package Type IRFH4201PbF PQFN 5mm x 6 mm Benefits Lower Conduction Losses Enable better thermal dissipation results in Increased Power Density  Multi-Vendor Compatibility Easier Manufacturing Environmentally Friendlier Increased Reliability Standard Pack Form Quantity Tape and Reel 4000 Orderable Part Number IRFH4201TRPbF Absolute Maximum Ratings Max. Units VGS Gate-to-Source Voltage Parameter ± 20 V ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 49 A ID @ TC(Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 326 ID @ TC(Bottom) = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 206 ID @ TC(Bottom) = 25°C 100 IDM Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Source Bonding Technology Limited) Pulsed Drain Current  PD @TA = 25°C Power Dissipation  3.5 PD @TC(Bottom) = 25°C Power Dissipation 156 400 W Linear Derating Factor 0.028 W/°C TJ Operating Junction and -55 to + 150 °C TSTG Storage Temperature Range Notes  through  are on page 9 1 www.irf.com © 2015 International Rectifier Submit Datasheet Feedback March 16, 2015 PDF
Документация на IRFH4201TRPBF 

IRFH4201PbF Product Datasheet

Дата модификации: 16.03.2015

Размер: 493.5 Кб

9 стр.

IRFH4201PbF HEXFET® Power MOSFET VDSS RDS(on) max (@ VGS = 10V) (@ VGS = 4.5V) 25 V 0.95 m 1.25 Qg (typical) 46.0 nC ID (@TC (Bottom) = 25°C) 100 A PQFN 5X6 mm Applications  Synchronous Rectifier MOSFET for Sync Buck Converters  Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters  Active ORing and Hot Swap  Battery Operated DC Motor Inverters Features Low RDSon (<0.95 m) Low Thermal Resistance to PCB (<0.8°C/W) Low Profile (<0.9 mm) Industry-Standard Pinout Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant, Halogen-Free MSL1, Industrial Qualification Base part number Package Type IRFH4201PbF PQFN 5mm x 6 mm Benefits Lower Conduction Losses Enable better thermal dissipation results in Increased Power Density  Multi-Vendor Compatibility Easier Manufacturing Environmentally Friendlier Increased Reliability Standard Pack Form Quantity Tape and Reel 4000 Orderable Part Number IRFH4201TRPbF Absolute Maximum Ratings Max. Units VGS Gate-to-Source Voltage Parameter ± 20 V ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 49 A ID @ TC(Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 326 ID @ TC(Bottom) = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 206 ID @ TC(Bottom) = 25°C 100 IDM Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Source Bonding Technology Limited) Pulsed Drain Current  PD @TA = 25°C Power Dissipation  3.5 PD @TC(Bottom) = 25°C Power Dissipation 156 400 W Linear Derating Factor 0.028 W/°C TJ Operating Junction and -55 to + 150 °C TSTG Storage Temperature Range Notes  through  are on page 8 1 www.irf.com © 2013 International Rectifier May 20, 2013 PDF
Документация на серию IRFH4201PBF 

IRFH4201PbF.pub

Дата модификации: 23.05.2013

Размер: 244 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    17 октября 2013
    новость

    25V FastIRFET - новое семейство MOSFET для синхронных DC-DC преобразователей

    Компания International Rectifier выпустила на рынок первую серию 25 В MOSFET транзисторов новейшего семейства FastIRFET™ рекомендуемых для применения в мощных синхронных понижающих DC–DC преобразователях. Хорошим применением таких... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16340Q3 (TI)