IRFH4210DTRPBF

FastIRFET 25V FETKY 100A@25C 0.9/1.1mOhm Qg=36nC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PQFN8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание 25V N-ch MOSFET (FastIRFET), 245A, 0.85mOhm, PQFN5x6, FETKY
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
FastIRFET™ IRFH4210DPbF HEXFET® Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max (@ VGS = 10V) (@ VGS = 4.5V) 1.35 Qg (typical) 37.0 nC ID (@TC (Bottom) = 25°C) 100 A 1.10 m PQFN 5X6 mm Applications  Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters Features Low RDS(ON) (<1.10 m) Schottky Intrinsic Diode with Low Forward Voltage Low Thermal Resistance to PCB (<1.0°C/W) Low Profile (<0.9 mm) Industry-Standard Pinout Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant, Halogen-Free MSL1, Industrial Qualification Base part number Package Type IRFH4210DPbF PQFN 5mm x 6 mm Benefits Lower Conduction Losses Lower Switching Losses Enable better thermal dissipation results in Increased Power Density  Multi-Vendor Compatibility Easier Manufacturing Environmentally Friendlier Increased Reliability Standard Pack Form Quantity Tape and Reel 4000 Orderable Part Number IRFH4210DTRPbF Absolute Maximum Ratings Max. Units VGS Gate-to-Source Voltage Parameter ± 20 V ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 44 ID @ TC(Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 266 ID @ TC(Bottom) = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 168 ID @ TC(Bottom) = 25°C 100 IDM Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Source Bonding Technology Limited) Pulsed Drain Current  PD @TA = 25°C Power Dissipation  3.5 PD @TC(Bottom) = 25°C Power Dissipation 125 A 400 Linear Derating Factor 0.028 TJ Operating Junction and -55 to + 150 TSTG Storage Temperature Range W W/°C °C Notes  through  are on page 9 1 www.irf.com © 2015 International Rectifier Submit Datasheet Feedback March 16, 2015 PDF
Документация на IRFH4210DTRPBF 

IRFH4210DPbF Product Datasheet

Дата модификации: 29.04.2021

Размер: 503.1 Кб

10 стр.

FastIRFET™ IRFH4210DPbF HEXFET® Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max (@ VGS = 10V) (@ VGS = 4.5V) 1.35 Qg (typical) 37.0 nC ID (@TC (Bottom) = 25°C) 100 A 1.10 m PQFN 5X6 mm Applications  Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters Features Low RDS(ON) (<1.10 m) Schottky Intrinsic Diode with Low Forward Voltage Low Thermal Resistance to PCB (<1.0°C/W) Low Profile (<0.9 mm) Industry-Standard Pinout Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant, Halogen-Free MSL1, Industrial Qualification Base part number Package Type IRFH4210DPbF PQFN 5mm x 6 mm Benefits Lower Conduction Losses Lower Switching Losses Enable better thermal dissipation results in Increased Power Density  Multi-Vendor Compatibility Easier Manufacturing Environmentally Friendlier Increased Reliability Standard Pack Form Quantity Tape and Reel 4000 Orderable Part Number IRFH4210DTRPbF Absolute Maximum Ratings Max. Units VGS Gate-to-Source Voltage Parameter ± 20 V ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 44 A ID @ TC(Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 266 ID @ TC(Bottom) = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 168 ID @ TC(Bottom) = 25°C 100 IDM Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Source Bonding Technology Limited) Pulsed Drain Current  PD @TA = 25°C Power Dissipation  3.5 PD @TC(Bottom) = 25°C Power Dissipation 125 400 W Linear Derating Factor 0.028 W/°C TJ Operating Junction and -55 to + 150 °C TSTG Storage Temperature Range Notes  through  are on page 8 1 www.irf.com © 2013 International Rectifier August 16, 2013 PDF
Документация на серию IRFH4210DPBF 

IRFH4210DPbF.pub

Дата модификации: 10.09.2013

Размер: 250.6 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    17 октября 2013
    новость

    25V FastIRFET - новое семейство MOSFET для синхронных DC-DC преобразователей

    Компания International Rectifier выпустила на рынок первую серию 25 В MOSFET транзисторов новейшего семейства FastIRFET™ рекомендуемых для применения в мощных синхронных понижающих DC–DC преобразователях. Хорошим применением таких... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.