IRFH4213DTRPBF

FastIRFET 25V FETKY 100A@25C 1.1/1.35Ohm Qg=26nC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN-8 TDFN8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание 25V N-ch MOSFET (FastIRFET), 204A, 1.1mOhm, PQFN5x6, FETKY
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ BSC010NE2LSATMA1 (INFIN) PGTDSON8 в ленте 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
IRFH4213DPbF HEXFET® Power MOSFET VDSS RDS(on) max (@ VGS = 10V) (@ VGS = 4.5V) 25 V 1.35 m 1.90 Qg (typical) 25 nC ID (@TC (Bottom) = 25°C) 100 A PQFN 5X6 mm Applications  Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters Features Low RDSon (<1.35m) Schottky Intrinsic Diode with Low Forward Voltage Low Thermal Resistance to PCB (<1.3°C/W) Low Profile (<0.9 mm) Industry-Standard Pinout Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant, Halogen-Free MSL1, Industrial Qualification Base part number Package Type IRFH4213DPbF PQFN 5mm x 6 mm Benefits Lower Conduction Losses Lower Switching Losses Enable better thermal dissipation results in Increased Power Density Multi-Vendor Compatibility  Easier Manufacturing Environmentally Friendlier Increased Reliability Standard Pack Form Quantity Tape and Reel 4000 Orderable Part Number IRFH4213DTRPbF Absolute Maximum Ratings Max. Units VGS Gate-to-Source Voltage Parameter ± 20 V ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 40 ID @ TC(Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 208 ID @ TC(Bottom) = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 131 ID @ TC(Bottom) = 25°C 100 IDM Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Source Bonding Technology Limited) Pulsed Drain Current  PD @TA = 25°C Power Dissipation  3.6 PD @TC(Bottom) = 25°C Power Dissipation 96 Linear Derating Factor  TJ Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range A 400 0.029 -55 to + 150 W W/°C °C Notes  through  are on page 8 1 www.irf.com © 2013 International Rectifier May 20, 2013 PDF
Документация на серию IRFH4213DPBF 

Дата модификации: 08.06.2013

Размер: 729 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    17 октября 2013
    новость

    25V FastIRFET - новое семейство MOSFET для синхронных DC-DC преобразователей

    Компания International Rectifier выпустила на рынок первую серию 25 В MOSFET транзисторов новейшего семейства FastIRFET™ рекомендуемых для применения в мощных синхронных понижающих DC–DC преобразователях. Хорошим применением таких... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.