IRFH4234TRPBF

FastIRFET 25V 100A@25C 3.5/4.6Ohm Qg=8.2nC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN-8 TDFN8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание 25V N-ch MOSFET (FastIRFET), 60A, 3.5mOhm, PQFN5x6
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ SIR158DP-T1-GE3 (VISHAY) POWERPAKSO8 1 шт
 
A+ IRF2903ZPBF (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Файлы 1

показать свернуть
FastIRFET™ IRFH4234PbF HEXFET® Power MOSFET VDSS RDS(on) max (@ VGS = 10V) (@ VGS = 4.5V) 25 V 4.6 m 7.3 Qg (typical) 8.2 nC ID (@TC (Bottom) = 25°C) 60 A PQFN 5X6 mm Applications  Control MOSFET for Sync Buck Converters  Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters Features Low Charge (typical 8.2 nC) Low RDSon (<4.6 m) Low Thermal Resistance to PCB (<4.6 °C/W) Low Profile (<0.9 mm) Industry-Standard Pinout Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant, Halogen-Free MSL1, Industrial Qualification Base part number Package Type IRFH4234PbF PQFN 5mm x 6 mm Benefits Low Switching Losses Lower Conduction Losses Enable better Thermal Dissipation results in Increased Power Density  Multi-Vendor Compatibility Easier Manufacturing Environmentally Friendlier Increased Reliability Standard Pack Form Quantity Tape and Reel 4000 Orderable Part Number IRFH4234TRPbF Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 22 ID @ TC(Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 60 ID @ TC(Bottom) = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 38 IDM Pulsed Drain Current  240 PD @TA = 25°C Power Dissipation  3.5 PD @TC(Bottom) = 25°C Power Dissipation  27 Linear Derating Factor  TJ Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range 0.028 -55 to + 150 A W W/°C °C Notes  through  are on page 9 1 www.irf.com © 2015 International Rectifier Submit Datasheet Feedback March 16, 2015 PDF
Документация на IRFH4234TRPBF 

Keywords: IRFH4234PbF, IRFH4234TRPbF

Дата модификации: 16.03.2015

Размер: 500.7 Кб

9 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    17 октября 2013
    новость

    25V FastIRFET - новое семейство MOSFET для синхронных DC-DC преобразователей

    Компания International Rectifier выпустила на рынок первую серию 25 В MOSFET транзисторов новейшего семейства FastIRFET™ рекомендуемых для применения в мощных синхронных понижающих DC–DC преобразователях. Хорошим применением таких... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.