IRFH4251DTRPBF

MOSFET транзистор - [PQFN-18-5x6]; Тип: DUAL N; Uси: 25 В; Iс(25°C): 45 А; Rси(вкл): 0.6...1.1 мОм; @Uзатв(ном): 1.1...2.1 В; Uзатв(макс): 20 В
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус QFN-8 PQFN5x6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание 25V FastIRFET Power Block, 45A, PQFN 5x6
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
FastIRFET™ IRFH4251DPbF HEXFET® Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max (@VGS = 4.5V) 4.60 1.10 m Qg (typical) 10 44 nC ID (@TC = 25°C) 45 45 A Applications  Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 5X6 mm Features Control and synchronous MOSFETs in one package Low charge control MOSFET (10nC typical) Low RDSON synchronous MOSFET (<1.10m) Intrinsic Schottky Diode with Low Forward Voltage on Q2 RoHS Compliant, Halogen-Free MSL1, Industrial Qualification Base part number Package Type IRFH4251DPbF Dual PQFN 5mm x 6mm Benefits Increased power density Lower switching losses results in Lower conduction losses Lower Switching Losses  Environmentally friendlier Increased reliability Standard Pack Form Quantity Tape and Reel 4000 Orderable Part Number IRFH4251DTRPbF Absolute Maximum Ratings IDM Parameter Gate-to-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V (Source Bonding Technology Limited) Pulsed Drain Current PD @TC = 25°C PD @TC = 70°C Power Dissipation Power Dissipation TJ TSTG Linear Derating Factor Operating Junction and Storage Temperature Range VGS ID @ TC = 25°C ID @ TC = 70°C ID @ TC = 25°C Q1 Max. Q2 Max. ± 20 64 188 51 151 Units V A 45 45 120 750 31 20 63 40 W 0.25 0.50 W/°C °C -55 to + 150 Thermal Resistance Parameter RJC (Bottom) Junction-to-Case  Junction-to-Case  RJC (Top) Junction-to-Ambient  RJA Junction-to-Ambient  RJA (<10s) Q1 Max. 4.0 20 34 Q2 Max. 2.0 12 35 24 22 Units °C/W Notes  through  are on page 12 1 www.irf.com © 2014 International Rectifier Submit Datasheet Feedback May 20, 2014 PDF
Документация на серию IRFH4251DPBF 

IRFH4251DPbF Product Datasheet

Дата модификации: 31.05.2014

Размер: 561.1 Кб

13 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 ноября 2013
    новость

    MOSFET сборка «Power Block» – свежая сила для вашего DC-DC регулятора

    Компания International Rectifier выпустила на рынок транзисторные сборки IRFH4251D и IRFH4253D, являющиеся первыми 25–вольтовыми представителями инновационного семейства решений Power Block, предназначенными для применения в составе... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.